模拟电子技术及应用 教学配套课件 曹光跃 第1章 小结.pdfVIP

第一章 半导体二极管 第 1 章 小 结 第一章 半导体二极管 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 电子— 自由电子 两 种 N 型 (多子为电子) 子的运动 空穴— 价电子 半导体 P 型 (多子为空穴) 二、二极管 二、 1. 特性— 单向导电 i 1. 特性— 导电 D I F 正向电阻小(理想为0)，反向电阻大()。 uD U (BR) u0, uD i (e I 1) UT O u i (Ie  1) UT D D S URM D D S u I I 0,  0 D S 2. 主要参数 2. 主要参数 I 正向— 最大平均电流IF S 反向— 最大反向工作电压U(BR) (超过则击穿) 反向饱和电流I (I )(受温度影响) R S 第一章 半导体二极管 3. 二极管的等效模型 iD 理想模型 (大信号状态采用) u 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 U D D(on) 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 正偏电压U 时导通 等效为恒压源U D(on) D(on) 否则截止，相当于二极管支路断开 硅管：U = (0.6 0.8) V 估算时取 0.7 V D(on) 锗管： (0.1 0.3) V 0.2 V