阵列式集成磁件耦合度地研究.pdfVIP

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阵列式集成磁件耦合度的研究 阵列式集成磁件耦合度的研究。 李洪珠杨玉岗 郝文慧 杨文广 辽宁工程技术大学葫芦岛校区电气与控制工程学院(葫芦岛125105) 摘要:本文将磁性元件绕组集成在多个磁芯组合的磁路上,称之为阵列式集成磁件。详细地分析了四磁芯结构阵列式两电感集成磁件的 集成原理,分析了五种磁芯组合情况下两电感的耦合度大小,并作了有限元仿真分析验证,同时将其中对角开气隙的磁件应用于两通道交错 并联变换器,仿真分析和实验结果证明了理论分析的正确性和集成磁件的实用性。组合磁芯结构由于磁芯间气隙的存在相对于传统整体磁 芯降低了磁芯的集中发热点,同时增加了磁芯的散热面积,降低了热损耗。阵列式磁芯的多磁路结构又为多绕组的集成提供了可能。 叙词:集成磁件阵列式结构耦合系数有限元分析直流偏磁 1 引言 磁性器件是开关型变换器的重要组成部分,它是完成能量 储存与转换、滤波和电气隔离的主要器件。磁性器件的体积、重 量和损耗在开关变换器中占有较大的比重。随着微电子电子电 路、表面安装技术(SMI)的采用和不断发展完善,短、小、轻、薄已 经成为衡量当今开关电源产品的重要标志。提高功率密度和采 用低高度及体积、重量小的元器件是实现开关电源短、小、轻、薄 的有效途径。在开关电源技术领域中,开关电源的发展趋势之 一是集成化,近年来人们对集成磁技术的研究越来越重视,致力 图1阵列式集成磁件结构示意图 (1)四个磁芯均不开气隙 于研发集成磁性组件,减小磁件体积和损耗以及提高变换器动 当R1#一R2#一R3#一R4#一R时,绕组N1和N17在磁路中 态性能是磁集成技术的重要研究方向[14]。磁集成的方法很多, 产生的磁通为 但大多都是从磁路变换出发,把各个分立磁件从结构上集中在 7=N1il/R (1) 恤I.一他R一印I。’一印R 一起,利用一个整体磁芯作磁路,从而实现磁集成的目的。本文 绕组N2和N27在磁路中产生的磁通为 反其道行之,将磁性元件绕组集成在多个磁芯组合的磁路上,本 纰u一伫N一伫u’一伫N’一N1i1/R (2) 文称之为阵列式集成。组合磁芯结构由于磁芯问气隙的存在相 各磁通方向如图2所示,很容易得到绕组N1和N。7分别交链绕 对于传统整体磁芯降低了磁芯的集中发热点,同时增加了磁芯 组N2和Nz’的磁通 的散热面积,降低了热损耗。阵列式磁芯的多磁路结构又为多 绕组的集成提供了可能。本文详细的分析了四磁芯结构阵列式 /伫·.一印。_伽。7一o 、。’(3) 两电感集成磁件的集成原理,分析了五种磁芯组合情况下两电 1伫17一卯R7一卯R一0 感的耦合度大小,并作了有限元分析验证,同时将其中对角开气 隙的磁件应用于两通道交错并联变换器,分析表明集成磁件部 分磁芯消除了直流偏磁。仿真分析和实验结果证明了理论分析 的正确性和集成磁件的实用性。 2阵列式耦合电感集成磁件的结构及集成原理 :曼 呈 置 曼 莹 是 莹 莹 豆 置 2.1 阵列式集成磁件的结构 热AAAAAAAAA 8、2#、38、 图1为阵列式集成电感的结构示意图,磁路由1 ㈧、}¥、『¥、f Y、f¥、 48四组磁芯组成;四个绕组N,

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