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* * 材料显微结构分析方法 清华大学研究生课程 电子探针X射线微区分析 （EPMA） 一. EPMA定量分析 探测到试样中A元素的 ： 试样中某元素的重量百分比C ： J = 11.5Z 但是Ci 未知！ 原子系数校正因子KZ ： R0i可查 但是Ci 未知！ 吸收校正因子KA： （四）荧光校正因子KF: 如果试样中B元素的K系X射线对待测A元素能产生荧光增强，其增强效应： * 必须求出可能激发A荧光的各元素的影响 Wk：B元素K层电子的荧光产额，也就是B元素 产生K系X光的能力，其余系也相同。 :被检测元素的荧光强度与原激发强度比 CB：B元素的wt% 0.5：考虑B对A有荧光效应时有50%进入试样不被检测。 ：电离分数 从 吸收的跳跃比： : 如果B能激发A荧光，即A对B的吸收有一突变。 （四）荧光校正因子KF: 相对电离 分数为: A对B的吸收增强; 跳跃到 ，相当于 X,Y:是与take-off Angle 有关的吸收参量 : 试样对B元素的质量吸收系数 B:B 原子量 A:A 原子量 :A元素对B的K系列的质量吸收系数 分别求出各元素对A的荧光增强后求和， 其余元素的校正也同理。 :未知循环迫近 （四）荧光校正因子KF: f(Ci):ZAF校正因子， 为Ci 的函数。 （五）关于Z. A.F校正中的循环迫近问题 Ci：各元素i 的wt% 设为 : KZ.KA.KF与Ci 均有关，Ci 又是未知量。 采用循环逼近的方法， 令：