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第 章晶体管及其放大电路 7 7.1 晶体管 7.2 放大电路的直流偏置 7.3 共射极放大电路 7.4 共集电极和共基极放大电路 7.5 组合放大电路 7.6 放大电路的频率响应 7.1.1 晶体管的结构 1、NPN型晶体管的结构和电路符号 发射区 c 集电极 基区 N 集电区 c b 基极 集电结 P 基区 b 集电区 发射结 发射区 e N e 发射极 a b c （）内部结构 （）结构示意图 （）电路符号 （）图中的箭头表示发射结正向电流的方向。 c 2、PNP型晶体管的结构和电路符号 c 集电极 P c 集电区 b 基极 集电结 b N 基区 发射结 e 发射区 P e 发射极 a b （）结构示意图 （）电路符号 3、常见晶体管的封装外形如图所示： 7.1.2 晶体管的工作原理 内部条件：发射区掺杂浓度很高；基区很薄，掺杂浓度低；集电区 面积很大，掺杂浓度远低于发射区。通过制造工艺保证内部条件的 实现。 外部条件：发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压 （反向偏置）。通过电路设计保证外部条件的实现。 1.载流子的传输过程 （）发射区向基区注入载流子 1 c I 由于发射结正向偏置，发射 C I I + CBO CN N R 区的电子源源不断地注入基 c I B 区，基区的空穴也要注入发射 b I v BN P CE 区，二者共同形成发射极电流I