第9章-二极管和晶体管 10.pptVIP

* 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区（很薄） 发射结 发射区（掺杂浓度高） N N+ 集电极C 基极B 发射极E P E C B 符号 9.4.1 基本结构 9.4 晶体管 * 集电区 集电结 基区 （很薄） 发射结 发射区 （掺杂浓度高） 　 N 集电极C 发射极E 基极B N P P+ N 　 C B E 2. PNP型三极管 * 晶体管-半导体三极管 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有 电流放大功能的元件 * EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 9.4.2 电流分配和放大原理 三极管具有电流控制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UCB 0 UBE 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UBC 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB N N P * 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB E B C * 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C N N P EB RB EC IB IE IC 放大的条件： IC=βIB IE=IB+IC * 9.4.3 特性曲线 用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。 以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。 μA mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 V + _ + _ UBE UCE * 一、输入特性： UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 UCE =0.5V * 二、输出特性: IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路（共射极） * 二、输出特性: IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关， IC=?IB。 称为线性区（放大区） * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 ?IB * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 * T工作在放大区条件： 发射结正偏，集电结反偏； T工作在饱和区条件： 发射结正偏，集电结正偏； T工作在截止区条件： 发射结反偏，集电结反偏； 输入特性 输出特性 * 例：已知晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为0V、1V、5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO、IC的值。 （1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。 IC =0 解： * （2）当VBB＝1V时，因为 所以T处于放大状态。 * （3）当VBB＝5V时，因为 所以T处于饱和状态。 所以 uO≈0V，IC ≈12mA 若： 则： * 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。交流电流放大倍数为： 共射直流电流放大倍数： 1. 电流放大倍数 和 ? 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 9.4.4 主要参数 * 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 * 2.集-基极反向截止电流ICB