纳米材料的巨磁电阻效应及其应用.pdfVIP

第 25 卷 　第 6 期 稀 　有 　金 　属 2001 年 11 月 Vol . 25 №. 6 　　　　　 　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS November 2001 纳米材料的巨磁电阻效应及其应用 张燕红 (北京有色金属研究总院 ,北京 100088) 摘 　要 : 　综述了纳米巨磁电阻材料的最新研究进展 ,主要包括多层膜 、颗粒膜 、纳米颗粒合金薄带 、隧道结 、钙钛 矿结构等的性能、机理 、制备 、研究方向和应用 。 关键词 : 　巨磁电阻　纳米材料 　制备 　应用 ( ) 中图分类号 :TB383 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :0258 - 7076 2001 06 - 0459 - 05 　　纳米科学技术是一门在 1～100 nm 尺度空间内 射的几率或电子隧穿的几率不同 ,从而产生磁电阻 认识和改造 自然 、通过直接操作和安排原子 、分子创 效应 ,控制纳米材料中磁性体的磁化状态 ,可以改变 制新物质的学科 。纳米材料和技术领域是知识创新 材料的电阻率 。GMR 与界面原子排列的粗糙度密 和技术创新的源泉 ,新规律 、新原理的发现和新理论 切相关 ,合适的界面粗糙度可获得较大的 GMR 效 的建立给基础科学提供了新的机遇 ,将成为众多技 应 。具体可用二流体模型解释 ,其中较为直观的是 术的重要革新动力 。纳米材料由于尺寸细小 ,具有 等效电阻模型 。但更详细原因尚未完全清楚[2 ,3 ] 。 许多奇异性能 。1988 年 Baibich 等[ 1] 首次在纳米 在多层膜中目前应用开发的主要是自旋阀型多 ( ) ( Fe/ Cr 多层膜中发现磁电阻变化率达到 - 50 % , 比一 层膜 , 自旋阀主要由铁磁层 自由层 / 隔离层 非磁 ) ( ) 般的磁电阻效应大一个数量级 ,且为负值 , 各向同 性层 / 铁磁层 钉扎层 / 反铁磁层组成 。一般的多 ( ) 层膜虽然磁电阻效应大得多 ,但所需饱和磁场亦高 , 性 ,称为巨磁电阻效应 GMR 。随后又在纳米体系 的颗粒膜 、隧道结和钙钛矿结构中发现了巨磁电阻 即磁场灵敏度较低 。自旋阀型多层膜能显著提高磁 效应 。其中钙钛矿结构在 1993 年发现具有极大磁 场灵敏度 S v 为 0 . 0126 %～0 . 0251 % m/ A , 自旋阀型 多层膜还具有频率特性好 ,信噪比高等优点 ,在计算 ( ) 电阻效应 ,称为庞磁电阻效应 CMR ,在隧道结中发 机信息磁场和高灵敏传感器方面有广阔的应用前 现的巨磁电阻效应称为 TMR 。