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维普资讯 第 24卷 第3期 核电子学与探测技术 Vo1．24 No．3 2004年 5月 NuclearElectronics8LDetectionTechnology M ay 2004 6OCo大型客体辐射成像系统 7检测射线束研究 谈春 明 清华大学核能技术设计研究院．北京 100084 捕蔓：应用MCNP程序研究了 co大型客体j蕞射成像系统中的检测射线柬．本计算模拟实际钻探 大小获得了面源条件下距繇不同位置处的射线剂量分布盐线+对近检测面处射线柬的强度和分布形状 给出详细的计算结果．并由此得lit成像系统对被检客体的单次检测 f5量。从结果分析，采用该计算模型 得到的射线柬具有良好的准直效果并满足实际检测的要求． 关蕾词：”Co；辐射戚像f检测射线柬 ；MCNP 中围分类号 ： TL929 文献标识码 ： A 文章编号 ： 0258-0934 2004 03—0268—04 0 引言 计与评价 · 1 计算模型和方法 大型客体辐射成像是现代射线检测技术的 一 个重要研究领域 。我院采用 Co 射线对集 Co辐射成像系统检测射线如图 1所示。 装箱、货运列车等进行检测．以准直后的扇面状 射线束作为检测射线，对客体扫描获取被检对 协 象的透射投影图像 [1]。该种系统采用移动式 ”Co探伤机 1．11～l1．1TBq 为射线源，由源 丌¨…¨¨…¨-耋¨¨U¨一体 室和源室准直器构成辐射豫装置 理想情况下，T射线仅存在于射线检测面 中。 CoT射线从源室狭缝射出后再经过准直 器得到片状检测束。由于钴源各向同性并有一 叠豆 定大小，实际检测射线柬为具有一定半宽度的 圉1 控测示意围 近似a分布。而且由于辐射源装置和空气对钴 计算采用的辐射源装置包括源室、准直器、 潦射线的散射影响，离开检测面的射线强度并 侧屏蔽体。源室引出T射线柬并屏蔽向其他方 不为零，检测射线束的傀劣直接影响系统的图 向发射的射线。准直器对源室狭缝引出的扇面 像质量和辐射安全性能。 窄柬射线进行二次准直，为屏蔽源室出口附近 本文采用MCNP程序计算辐射源装置引 未被准直器遮挡的散射射线 ，在源室与准直器 出射线柬的辐射场分布 ．得到检测射线束在扫 之间布置了侧屏蔽体。 描方向的荆量分布曲线 ，并由此计算出给定扫 射线源为 Co探伤豫，半衰期为5．27a。设 描速率下被检客体的单次检测剂量。结果表明， 源活度为 3．7TBq，活性区尺寸 ．8ram×4．5 引出射线柬达到检测要求且具有很好的准直品 mm。7射线能量为 1．17和 1．33MeV，平均能 质。本工作方法可以用于辐射源检测射线^^ 量为 1．25MeV T射线与物质相互作用，入射 光子在作用过程中被散射吸收。对于 Co的T 射线，以康普顿散射为主 收蔫 日期 ：2003-O7—06 作者简介 谈春明 1973一 ．男．清华大学接能技术 计算模翌如下：源室为球体，材料为铅，放 设计研究院助理研究员．博士．从事校技术与j薹射成 射漾置于球心。在射线出束方向有一扇面狭缝， 像研究． 缝宽6ram。张角为 60。。源室半径为 250mm，在 268 维普资讯 距离辐射源 550～800ram为弧形准直器，材料 扫描方向上的分布应分为5个区问。如图3所 为铅。射线从准直器中间穿过，准直缝 6ram，准 示，在区间 I处，来 自钴源的射线均不被遮挡， 直器单边厚度50ram。侧屏蔽体材辩为铅，单边 在 Ⅱ和Ⅱ处，来自源的射线部分被遮挡．在区阊 厚度30mm，缝隙宽46ram 射线准直的剖面如 Ⅳ和V处，没有直接来 自源的射线 图2所示。二次准直能提高检测射线束准直度， Iv 在满足检测要求的前提下可以提高图像质量， Ⅱ 同时提高辐射安全性能。 l m V 图3 面源检测射线束几何关系示意图 采用MCNP程序在距离 6m处的检测射 线剂量分布曲线见图4。为便于比较，图中还列 图2 捡潮射线柬准直示意图 出射线源作为点源处理时的结果。如图所示，钴 理想情况下，射线束投影为以梭浏面为中 源按实际尺寸作为面源处理，其准直柬明显表 心的a函数。射线在通过澡室和准直器时与狭 现出图3中5个区域的特点。其剂量分布曲线 缝傻f面发生相互作用，部分射线教射到周 围空 由中心 向两侧 。分别为平台区 过渡区和遮挡 问，准直束和空气作用也形成散射 。各种散射 区 而作点潦处理的结果，其射线剂量分布曲线 线累计，在检测面外形成一定的辐射剂量。经辐 只包括平台区和遮挡区。 射源装置 I出的二次准直射线束应尽可能窄而 与点潦情况相比，面舔的平台区小，其过渡 集中。 区延伸到点源的平台区以外，进入点源遮挡区 钴源辐射成像系统采用一维扫描方式获取 内，点源的射线分布接近方渡