MOS管工艺参数的提取.docVIP

MOS管工艺参数的提取 为了提取kn’, kp’, λn, λp, Vtn, Vtp, γn, γp, |2Φfn|, |2Φfp|、CGS、CGD等进行计算所必须的参数，需要对单个晶体管进行Hspice仿真，并进行参数提取：注意：不同的沟道长度下参数值可能不同，需要针对所用到的沟道长度值进行提取。 提取k’， Vt参数： ****** Param Extract netlist******** .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post M1 VDS VGS 0 0 nch W=20u L=1u VDS VDS 0 1V VGS VGS 0 .DC VGS 0 2.5 0.05 .print DC I(M1) V(VGS) .end ************************************** 在*.lis输出文件中查找I（M1）和VGS的列表（文件末尾），使用教材上的Figure1.44(a)来确定Vt的值，而从其斜率可以确定k’的平方根的值： 提取λ参数： ****** Param Extract netlist******** .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post M1 VDS VGS 0 0 nch W=20u L=1u VDS VDS 0 1V VGS VGS 0 .DC VDS 0 2.5 0.05 sweep VGS POI 6 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 .print DC I(M1) V(VDS) .end ************************************** 在*.lis输出文件中查找在不同VGS值下I（M1）和VDS的列表（文件末尾），使用教材上的Figure1.10来确定λ的值：（此处VBE相当于VGS，VCE相当于VDS） 3. 提取γ, |2Φf|参数： ****** Param Extract netlist******** .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post M1 VDS VGS S 0 nch W=20u L=1u VDS VDS S 1V VGS VGS S VSB S 0 0.8 .DC VGS 0 2.5 0.05 sweep VSB POI 3 0.5 1.0 1.5 .print DC I(M1) V(VGS) .end ************************************** 按照1的方法提取在不同VSB下的Vt参数，然后使用下式联立求解γ, |2Φf|： 提取CGS、CGD：（在手工计算中，忽略其它电容） ****** Param Extract netlist******** .lib mix025_1.l TT .lib mix025_1.l RES .lib mix025_1.l TT_BIP .TEMP 27 .options post .options dccap=1 M1 VGS VGS 0 0 nch W=20u L=1u VGS VGS 0 2 .DC VGS 0 2.5 0.05 .op .print CG=par(lx18(M1)) .end ****************************** 在*.lis输出文件中查找M1的工作点信息（文件末尾），其中有CGS和CGD两项。将它们的值除以晶体管宽度（W）就可以得到单位宽度的CGS和CGD。在仿真中应确保晶体管处于饱和区。 **** mosfets subckt element 0:m1 model 0:nch.2 region Saturati id 3.5131m ibs -228.3569a ibd -37.0645p vgs 2.0000 vds 2.0000 vbs 0. vth 506.2129m vdsat 1.0430 beta 4.1514m gam eff 371.8798m gm 3.6285m gds 45.7263u gmb 8