C_xH_(1-x)薄膜制备.pdfVIP

　第33卷第4期 原 子 能 科 学 技 术 . 33, . 4 V o l N o 　1999年7月 A tom ic Energy Science and T echno logy Ju ly 1999 x 1- x 薄膜制备 C H 吴卫东　罗江山　张占文　黄　勇 ( 中国工程物理研究院核物理与化学研究所, 成都, 610003) 以反式2丁烯为工作气体, 采用低压等离子体化学气相沉积法制备C H 薄膜。研究了在不 x 1- x 同的H 与反式2丁烯流量比下制备的C H 薄膜的傅里叶变换红外光谱(FT IR ) 及XPS 谱的 2 x 1- x 特性。初步探讨了Cx H 1- x 的生长机理。膜中sp 3 杂化碳原子和 sp 2 杂化碳原子的数量以及两者的比 例与沉积条件有关。 关键词　低压等离子体　 薄膜　傅里叶变换红外光谱　 谱 C H XPS x 1- x 中图法分类号　 484 1 O 在碳的众多化合物中, 非晶 ∶ 的独特性质引起人们对它们的极大兴趣[ 1, 2 ]。惯性约束 C H ( ) ( ) [ 2 ] 聚变 靶丸表面的 涂层就是非晶 ∶ ∶ 。 薄膜的制备方法 很多, 如 ICF CH C H a C H Cx H 1- x 离子束沉积、离子溅射沉积、磁控溅射、低压等离子体化学气相沉积、激光诱导化学气相沉积、 热丝化学气相沉积等。不同的制备方法, 不同的气源, 所得到的 x 1- x 薄膜结构各异。本工作 C H 采用低压等离子体化学气相沉积法制备Cx H 1- x 薄膜, 并对薄膜的特性进行初步分析。 1　Cx H1- x 薄膜制备及膜的生长机理 11　Cx H1- x 薄膜制备 制备Cx H 1- x 薄膜的装置示于图 1。该装置采用无油抽气系统, 以防止薄膜被油污染。基片 在预真空室经A r+ 清洗后由机械手送入主真空室。沉积条件如下: ( ) 背景 包括整个管道系统 真空度 5 Pa; 工作压力 1～ 2 Pa; H 2 气和反式2丁烯流量分别 为 0～ 10 和 05 3 · - 1; 衬底温度 30 ℃; 射频输入功率 15 。 cm m in W 其他条件固定不变、 和反式2丁烯的流量比在 5 ∶1～ 10 ∶1 范围内变化时, 薄膜的沉