侧链含有两种介晶基元的聚硅氧烷类液晶聚合物的制备与性能.pdfVIP

维普资讯 第18卷第3期 高分子材料科学与工程 v。1．18N[】_3 2002年 5月 POIYM ER MATERIAISSCIENCEAND ENGINEERING May2002 侧链含有两种介晶基元的聚硅氧烷类液晶 聚合物的制备与性能 丛越华，张宝砚，贾莹光，王文彬 (东北大学化学系，辽宁 沈阳 110006) 摘要 ：合成 丁恻基带有两种介晶基元的聚硅氧炕类系列液 晶聚合抽 (P．～P)所用介晶单体 M．为 4一联 苹二酚基一4一(2一己基 己酰基)一4一烯 丙氧基苯 甲酸酯 M：为 4一烯丙氧基苯 甲酰氧基 4 甲氧基苯，它们介 晶区间分别为 39c和7．9C。只含有单体M．的聚合袖P 和只台有单体Mz的聚合抽P 的介晶区间分 别为70．8C和75．1 ；但是同时分有不同摩 尔比的Ml和M2的液晶聚合枷P～P．的介晶区间为240 ～ 255C 比只含有 种介 晶基元的P 或 P拓宽了约 l70c，所有聚合物均低于室温就有液晶性能 且 耐热性这 3l0 C以上 属于非晶近 晶织杓 关键词：4一联苯二酚基一4。一(2一乙基己酰基)4烯丙氧基苯 甲酸蓓 ；两种赍晶基元；聚硅氧烷 ；舍成与性能 中图分类号 ：0631．1 文献标识码 ：A 文章编 号 2002)03—0162—03 近年来 ，许 多具有优异性能的侧链液晶聚 与液晶性能。 合物 (SICP)和含有一种介晶基元 的液晶聚合 1 实验部分 物被较详细地研究 ～ ，对于液晶离聚物 ，也有 一 系列的报道 J，其主要工作是考察 了离子引 1．1 液晶聚台物P．～P 的制备 入液晶聚合物后所形成的液晶离 聚物 (TCI)的 单体M 和M 由实验室制备。聚合物的制 性能变化 ，通常离子引入聚硅氧烷类液晶侧链 备是将聚甲基含氢硅氧烷溶于甲苯中，再分别 后较原液晶聚合物介晶区间有较大的拓宽。若 按Tab．1的摩尔比加入单体 M 和 M ．待完全 在 聚硅氧烷链上同时引入两种介晶单体．其介 溶解后，再加入 lmI0．j (质量)的六氯台铂 晶区间、介晶类 型将如何变化 ，这在理论上和实 酸／四氢呋喃溶液．在氮气保护下．50 C～60 际应用上都是有意义的，本文主要讨论含有不 C回流 5d，所得产物用 甲醇沉淀后于常温真空 同摩尔 比的两种介晶基元的液晶聚合物 的制备 干燥 2d，得棕黄色粉状产物。 Tab l DataofDSC TGA andSAXS *△r ·：hetempera：uFeme~ogenicrange． 收稿 日期 200008-l4 基盎项 il：国家 内然科学基金贷助谭题 作者简介 ：丛越华 女 25岁．硕士 联系人：张宝砚 维普资讯 第 3期 丛越华等：侧链古有两种舟品基元的秉硅氧靛类蘸 晶聚台物的制备与性 能 1．2 仪器与测试 上的氢已被取代 ，发生了加成反应 红外光谱仪：美 国Nicolet公 司 5lOP．以 2．2 热分析 KBr为参 比；差示扫描量热仪 ：美 国 Perkin— 样品的热分析结果见 Tab．1、实验所用的 Elmer公司DSC一7，所测温度范围为一50C～ 含氢硅氧烷上的si—H的平均键数为 7。其 M 400C．升温速度为 10C／min；热失重分析仪 ： 与 M 的投料均按硅氢键和单