半导体分立器件试验方法.pdf

中华人民共和国国家军用标准 半导体分立器件试验方法 Test methods GJB128A-97 代替 GJB 128-86 1 范围 1.1主题内容 本标准规定了半导体分立器件 以下简称器件 的通用试验方法 包括军用条件下抗损 害能力的基本环境试验 机械性能试验和电特性测试 1.2适用范围 本标准适用于军用半导体分立器件 1.3应用指南 1.3.1规定试验室中的试验条件要适当 使试验结果等效于现场使用结果 试验结果要能再 现 但这不能理解为试验条件完全等同某一地区真实的工作条件 这是因为只有在某一地区 实际工作的试验才是那个地区真实的工作试验 用一个标准描述各种通用半导体器件规范中性质相似的试验方法时 就可以使这些方法 保持统一 从而可以充分利用设备 设施和节省工时 为了达到这一目标 要使每一种通用 试验方法适用于多种器件 1.3.2在详细规范中引用本标准的试验方法时应注明本标准编号 试验方法编号及所引用试 验方法中应规定的细节 2 引用文件 GB313188锡铅焊料 GB402386半导体分立器件 第2部分 整流二极管 GB402483半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法 GB458694半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 GB458794半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB657086微波二极管测试方法 GB657194半导体器件 分立器件 第3部分 信号 包括开关 和调整二极管 GB949188锡焊用液态焊剂 松香基 GB1149989半导体分立器件文字符号 GB12300-90功率晶体管安全工作区测试方法 GB33A97 半导体分立器件总规范 GIB360A96电子及电气元件试验方法 GJB762.1一89半导体器件辐射加固试验方法 中子辐照试验 GJB762.3 89半导体器件辐射加固试验方法 г瞬时拍辐照试验 GJB1209一91微电路生产线认证用试验 方法和程序 GJB164993 电子产品防静电放电控制大纲 GJB271296 测量设备的质量保证要求一计量确认体系 3 定义 本标准采用引用文件中的术语和符号 3.1缩写词 a.ATE自动试验设备 b.BIST反向不稳定性冲击试验 c.DPA破坏性物理分析 d.DUT受试器件 e.ESD静电放电 f.ESDS静电放电敏感度 g.FET场效应晶体管 h.FIST正向不稳定性冲击试验 i.FWHM:脉冲幅值的一半所对应的宽度 j.JTRB高温反偏 k.IF中频 l.IGBT绝缘栅双极型晶体管 m.LCC:无引线片式载体 n.LINAC直线加速 O.MOSFET:金属氢化物半导体场效应晶体管 .PINDp 粒子碰撞噪声检测 q.RH相对湿度 r.SEM扫描电子显微镜 SOAs. 安全工作区 SSOPt. 稳态工作功率 u.STU灵敏度检测单元 v.SWR驻波比 w.TLD热致发光剂量计 x.TSP温度敏感参数 4 一般要求 4.1 试验条件 除非在本标准或详细规范中另有规定 所有测量和寿命试验均应在 25±3 环境温度 环境大气压及相对湿度下决平衡的情况下进行 试验的标准大气条件为 温度 1535 相对湿度 20 80 气压 86106kPa仲裁试验的标准大气条件为