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半导体工艺基础3 光刻1.pdf
第三章
光 刻 (1)
Semiconductor Manufacturing Basic 光刻 (1)
光 刻 光刻工艺流程图
（a）前处理
基板
HMDS处理
● 光刻的原理／roadmap
（b）涂胶 光刻胶
● 分辨率增强技术 （c）预烘
照明方法、掩膜 （d）曝光 近紫外线
光罩
● 光刻胶
（e）曝光后硬化
阻碍溶解型光刻胶、化学增幅型光刻胶 （f）显影、冲洗
（g）最后的固化（及UV硬化）
● 光刻胶处理 负型光刻胶 正型光刻胶
抗反射工艺
（h）刻蚀、离子注入
● 未来的光刻
刻蚀 参杂
浸入式光刻、EUV光刻、双掩膜工艺 （i）光刻胶剥离
（j）检查
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HMDS处理 碱性显影液：TMAH(氢氧化四甲基铵）
衬底 使用2.38wt％(0.26N)水溶液
不需要有机抗反膜涂层
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新型试剂保管系统：NOWPAK 曝光的原理
分辨率 焦深
低K （分辨率提高技术）
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