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功率半导体器件(1) 8 功率半导体器件 • 前面几章中，假设功率半导体器件具有理想的开关 特性，这些特性包括： • 很高的阻断电压 • 很低的通态电压和电阻 • 很快速的开关过程 • 很强的散热能力 • 尽管功率器件的发展已取得了重大的进步，但迄今还 没有哪种器件能具备上述所有特性。 • 这意味着没有哪种器件能适合于所有应用场合。针对 特定的应用，需要合理地选择和搭配器件。 （如将器件串联或并联以控制更大的功率） 哈尔滨工业大学电气工程系 文件: 电力电子技术31.1 电力电子技术 功率半导体器件(1) • 因此深入地理解功率器件的物理结构、制造方法和封 装形式，对于正确地选择和使用器件是十分重要的。 • 大功率半导体器件的物理结构和特性与小功率器件有 较大的区别，不能简单地将小功率器件的知识推广到 大功率器件。 学习目的： 大功率半导体器件的物理结构和工作原理 电力电子器件发展趋势 学时：2 哈尔滨工业大学电气工程系 文件: 电力电子技术31.2 电力电子技术 功率半导体器件(1) 8.1 电力二极管 •功率半导体器件与对应的小功率器件相比，结构和特 性更加复杂。 •复杂性来源于为了适应大功率的应用，而对器件结构 所进行的改进。 •这种改进在本质上对于所有功率器件是通用的。因此 ，以电力二极管为例来分析这种结构上的改进是具有代 表性的。 •二极管或PN结是所有功率半导体器件的基本组成单元 ，对于二极管的深入分析有利于对其它器件的理解。 •分析内容：物理结构和工作原理，器件特性和主要参 数。(特性包括：静态的伏安特性；动态的开关特性） 哈尔滨工业大学电气工程系 文件: 电力电子技术31.3 电力电子技术 功率半导体器件(1) 8.1.1 电力二极管的基本结构 Anode i 10 P+ 19 -3 microns N = 10 cm 轻掺杂n型 A breakdown v N- epi 14 -3 voltage 漂移区 ND= 10 cm dependent 重掺杂n型 N+ substrate 19 -3 250 N = 10 cm D microns Cathode •器件的截面积由承受电流的能