电力电子技术-第一章第一、二节.pptVIP

1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）广义上的分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料是硅） 处理电功率的能力非常大，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制和驱动。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 主要是指其伏安特性 门槛电压UTO，正向电流开始明显增加所对应的电压。 电力二极管正向导通后，两端的电压即为其正向电压降UF ，对应电流为IF。 承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。 正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V），这是电导调制效应的作用。 正向恢复时间tfr。 电流上升率越大，UFP越高 。 即额定电流，指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode）。 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路。 其反向恢复时间较长，一般在5μs以上。 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别为数千安和数千伏以上。 优点： 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和通态损耗都比快恢复二极管还小。 缺点： 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，且必须严格地限制其工作温度。 * 第1章 电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 1.2 不可控器件——电力二极管 1.3 半控型器件——晶闸管 1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动电路 1.7 电力电子器件的保护电路 本章内容要求： 理解电力电子器件的概念、特点和分类等相关知识。 掌握常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及在选择和使用中应注意的问题。 1 1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 2 目前电力电子器件专指电力半导体器件。 3）同处理信息的电子器件相比的特征： 1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 3 主要损耗 通态损耗 断态损耗 开关损耗 关断损耗 开通损耗 电力电子器件的损耗 1.1 电力电子器件概述 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 4 电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 保护电路 在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行。 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 检测 电路 控 制 电 路 驱动 电路 R L 主电路 V 1 V 2 电气隔离 控制电路 1.1 电力电子器件概述 5 半控型器件 ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。如晶闸管及其派生器件。 全控型器件 ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。如IGBT、Power MOSFET、GTO、BJT。 不可控器件 ——不能用控制信号来控制其通断，因此也就不需要驱动电路。如电力二极管。 1.1.3 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，可分为三类： 1.1 电力电子器件概述 6 电流驱动型 ——通过从器件的控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制，比如晶闸管、GTO、BJT等。 电压驱动型 ——仅通过在器件的控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制，比如Power MOSFET、IGBT等。 按照驱动电路信号的性质，可分为两类： 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1 电力电子器件概述 7 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可分为三类： 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1 电力电子器件概述 单极型器件 ——由一种载流子参与导电的器件，如Power MOSFET等。 双极型