复旦大学成果项目登记表.doc

  1. 1、本文档共29页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
复旦大学成果项目登记表 项目名称 光响应高分子智能驱动材料 所属领域 新材料 完成单位 材料科学系 项目负责人 俞燕蕾 项目简介 高分子液晶弹性体兼具液晶材料和高分子交联网络的特征,具有良好的外场响应性、分子协同作用和弹性。近年来,复旦大学材料科学系的俞燕蕾教授与日本东京工业大学合作,将液晶材料用于光响应型智能驱动材料的开发,于2003年取得了创新性进展----开发出含偶氮苯色素的新型高分子液晶弹性体膜,并利用这一新材料所具有的特殊光响应特性实现了技术上的突破,在世界上首次利用液晶研制成功了能产生光致弯曲的新型智能驱动材料。材料膜的形变具有良好的可重复性,只需简单地改变照射光波长就可以反复实现弯曲。通过偏振光照射等技术,还进一步实现了对材料膜弯曲方向的精确控制,使其能够沿着任意的方向进行弯曲。深入的研究表明该材料所产生的光致形变(伸缩)的实验值可达到20 %,理论计算值则高达400 %,形变速度可高达毫秒级,在形变过程中所产生的机械力能够达到人体肌肉的伸缩力范围。 利用其光致形变可以将光能直接转化为机械动力,有望推动微型光-机械换能器件的开发。此外,由于其功能实现完全由光来控制,不需要任何电池、电动机、齿轮等的介入,使得材料容易被小型化,为微型机器人与微机电系统(MEMS)提供重要的致动部件。 项目图片 复旦大学成果项目登记表 项目名称 填充纳米/微米银线的导电树脂 所属领域 新材料 完成单位 化学系 项目负责人 唐 颐 项目简介 目前,导电树脂是一种有着较大应用前景的功能化复合材料,既可以用作防静电、电磁屏蔽等功能化涂料,也可以作为导电粘结材料(导电胶)用在微电子封装领域。其包括两个主要成分:一是作为基体的树脂;二是提供导电功能的填充材料。导电填料常见的是适用于不同用途的炭粉和金属粉末材料,性能较佳的导电树脂通常为填充银粉的高分子树脂,该类产品市场上已有多种产品出售,如Alfa Aesar公司的银导电树脂产品、上海合成树脂研究所的DAD系列产品等。然而,填充颗粒状的导电树脂在实际的应用中也表现出了自身的一些技术缺陷:如导电胶中的导电粉末材料的含量一般要达到较高的水平时才有良好的电导率,这就会导致导电胶中树脂的含量不得不减少,而树脂是粘结强度的主要来源,所以导电胶的抗冲击强度等力学性能不够出色;导电树脂是通过填充的导电粒子在树脂基体中形成导电网络来进行导电的,网络的质量主要取决于填充导电粒子的种类、形貌、尺寸、导电性等,填充粒状导电填料的导电树脂由于粒子与粒子之间的接触面积小,接触不稳定,导电树脂表现出很强的接触电阻不稳定性。 本项目开发的高浓度的纳米/微米银线化学还原制备方法,实现了规模化制备,且工艺简单操作方便。得到的产品如图所示(A纳米银线,B微米银线),这种产品可以作为导电填料应用到导电树脂中以加强各项电学和力学性能。在相同的导电指标下,银线填充量可以比银粉的填充量节省25%以上,力学指标也有不同程度提高。该技术节约了成本且提升了性能,有较大的应用前景。 项目图片 复旦大学成果项目登记表 项目名称 氧化物薄膜晶体管材料及其器件研究 所属领域 新材料 完成单位 材料科学系 项目负责人 张群 项目简介 本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜,重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料,研究和制备优质致密的透明介质层薄膜掺钨氧化铟(IWO)高迁移率TCO薄膜,使其与TOS薄膜具有良好的电接触特性;研究制备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介质层构成的全透明TFT,研究TFT的尺寸和各种工艺对I-V特性曲线、场效应迁移率和漏电流等TFT性能的影响。高迁移率掺钨氧化铟IWO薄膜,其载流子迁移率大于50 cm2V-1s-1,载流子浓度小于1×1021 cm-3,电阻率小于3×10-4 Ω·cm,可见光透射率大于80%; 高迁移率氧化物半导体In2O3:ZnO薄膜,组分均匀、结晶性好、透明性高; Al2O3/SiO2透明介质层,优质致密,漏电流小; 以In2O3:ZnO为沟道层的TFT,具有良好的I-V特性曲线,迁移率大于5 cm2/Vs; 探索氧化物TFT阵列的制备工艺。透明氧化物半导体(TOS)如氧化铟In2O3和氧化锌ZnO,其载流子迁移率较高,工艺温度低,高清晰度、高动态响应速度、真彩色(高色域)、低功耗等社会向信息化、数字化、网络化的发展具有重要意义,其市场需求量巨大,经济效益可观、应用前景广阔 项目图片 正在申请专利的全透明氧化物TFT。 图1(a) 图1(b) 图1 – TFT全透明薄膜结构示意图。 复旦大学成果项目登记表

文档评论(0)

wen0000 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档