大功率电源中MOSFET功耗的计算- Maxim.pdfVIP

Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software For evaluation only. 电源工程师指南：大功率电源中MOSFET 功耗的计算 摘要：功率MOSFET 是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外， 对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET 是最难确定的元件。本文给 出了计算MOSFET 功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、 降压型CPU 核电源中一个30A 单相的分布计算示例，详细说明了上述概念 也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU 提供电源 CPU 的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电 源电流需求会高达60A 或更多，电压介于0.9V 和 1.75V 之间。但是，尽管电 流需求在稳步增长，留给电源的空间却并没有增加—这个现实已达到了热设计的 极限甚至超出 如此高电流的电源通常被分割为两个或更多相，每一相提供15A 到30A。这种 方式使元件的选择更容易。例如，一个60A 电源变成了两个30A 电源。但是， 这种方法并没有额外增加板上空间，对于热设计方面的挑战基本上没有多大帮 助 在设计大电流电源时，MOSFET 是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤 其显著，这样的环境中，散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU 这样，电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的 热量等不利因素的挑战。而且，除了电源下面少量的印制板铜膜外，没有任何其 它手段可以用来协助耗散功率 在挑选MOSFET 时，首先是要选择有足够的电流处理能力，并具有足够的散热 通道的器件。最后还要量化地考虑必要的热耗和保证足够的散热路径。本文将一 步一步地说明如何计算这些MOSFET 的功率耗散，并确定它们的工作温度。然 后，通过分析一个多相、同步整流、降压型CPU 核电源中某一个30A 单相的设 计实例，进一步阐明这些概念 计算 MOSFET 的耗散功率 为了确定一个MOSFET 是否适合于某特定应用，你必须计算一下其功率耗散， 它主要包含阻性和开关损耗两部分： PDDEVICE TOTAL = PDRESISTIVE + PDSWITCHING 由于 MOSFET 的功率耗散很大程度上依赖于它的导通电阻(RDS(ON))，计算 R 看上去是一个很好的出发点。但是 MOSFET 的R 与它的结温(T ) DS(ON) DS(ON) J 有关。话说回来，T 又依赖于MOSFET 的功率耗散以及MOSFET 的热阻(Θ ) J JA 这样，似乎很难找到一个着眼点。由于功率耗散的计算涉及到若干个相互依赖的 因素，我们可以采用一种迭代过程获得我们所需要的结果 图1) Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software For evaluation only. 图1. 该流程图展示了选择各MOSFET (同步整流器和开关MOSFET)的迭代过 程。在这个过程中，各MOSFET 的结温为假设值，两个MOSFET 的功率耗散 和允许环境温度通过计算得出。当允许的环境温度达到或略高于我们所期望的机 箱内最高温度时(机箱内安装了电源及其所驱动的电路) ，这个过程就结