半导体物理与器件课件教学配套课件裴素华第1章半导体材料的基本性质1.pdfVIP

第1章半导体材料的基本性质 1.1 半导体与基本晶体结构 1.1.1 半导体 导电能力介于导体于绝缘体之间的一些单晶体，就叫半导体。 1.1.2半导体材料的基本特性 1.杂质敏感性 2.负温度系数 3.光敏性 4. 电场、磁场效应 1.1.3 半导体的晶体结构 晶体结构是值原子在三维空间中周期性排列着的单晶 体。  晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代 表，称这个最基本的单元叫晶胞。  晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而 成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。  格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格 点，格点的总体称点阵。 3种常见的立方晶体的晶胞 a ）简单立方b）体心立方c ）面心立方 金刚石结构的晶胞与平面示意图 a ）金刚石型结构的晶胞b）硅晶体的平面结构示意图 金刚石型结构 a ）正四面体b）结构 1.1.4晶面及其表示方法 密勒指数：密勒指数是界定晶体中不同平面的简单办 法，它可以由以下步骤确定： 1.找出晶面在3个直角坐标轴的截距值（以晶格常数为计 量单位）； 2.取这3个截距值的倒数，将其换算成最小的整数比； 3.把结果用圆括号括起来（hkl）， 即为该晶面的密勒指数。 1.1.5 半导体材料简介  材料永远起着决定一代社会科技水平的关键作用  锗是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料  硅是最典型、用量最广泛而数量最多的半导体材料  近年来一些化合物半导体材料已被应用于各种器件的 制作中  半导体已经发展成为种类繁多的大科门类材料 1.2半导体的能带 1.2.1 孤立原子中电子能级 孤立氢原子中电子能量公式： m0 是自由电子的 惯性质量；q为电 子电荷；ε0 为真 空介电常数；h为 普朗克常数；n为 量子数取正整数。 根据上式可得氢原 子能级图。 1.2.2 晶体中电子的能带 本节重点讨论有原子结合成晶体时电子的运动规律 1.晶体中电子的共有化运动 价电子轨道重叠运动区域连成一片示意图 2.晶体中电子能带的形成 N个原子结合成晶体前后的能级状态 单个原子的能级与晶体能带的 对应图 1.2.3 硅晶体能带的形成过程 1.2.4 能带图的意义及简化表示 晶体实际的能带图比较复杂，可以把复杂的能带图进行简化 绝缘体、半导体和导体的简化能带图 a ）绝缘体b）半导体c ）导体 一般用“E ”表示导带 c 底的能量，用Ev表示 价带底的能量，E 表 g 示禁带宽度。 半导体能带简化表示 a ）能带简化表示b）能带最简化表示 1.3 本征半导体与本征载流子浓度 1.3.1 本征半导体的导电结构 本征半导体是指完全纯净的 结构完整的 不 含任何杂质和缺陷的半导体. 半导体填充能带的情况 a ）T=0K b ）T0K  本征半导体导带电子和价带空穴均能在外加电场作用 下,产生定向运动形成电流,把上述两种荷载电流的粒子 称为半导体的俩种载流子.  导带电子浓度和价带空穴浓度永远相等,这是本征半导 体导电机构的一个重要特点. 1.3.2 热平衡状态与热平衡载流子浓度  在本征半导体中,载流子是由价带电子受晶格热运动的 影响激发到导电带中而产生的,热激发有使载流子增加 的倾向.  导带电子以某种形式放出原来吸收的能量与空穴复合, 复合作用又使电子和空穴的数目减少.  我们把载流子的热激发产生率与复合率达到平衡的状