La-%2c3-Ga-%2c5-SiO-%2c14-晶体生长探究.pdfVIP

2002年中国电子学会第十二届电子元件学术年会论文集 —_——-—_——————●————-___———_——’——_————_———一—_———●—————●—————^——-一一 i 014晶体生长研究 La3Ga5s 蒋春健胡少勤吴兆刚李弄口新 四川压电与声光研究所重庆400060 擅蔓本文报道了用直拉法生长新型压电材料La，Ga，SiO。．晶体进行的研究．采用化学计 量比混合Ga 3Ga5Siol4多晶料；使用铂坩蜗盛料，采用 20，、La203及Si02粉束后直接熔融合成La 中凝感应加热：用铂丝引出耔晶，研究适合La 3Ga；Si0。。晶体生长的温场及其相应的拉速和转速， 生长出了巾50—140砌的晶体，测试了部分压电性能． 关t词La3Ga5Si014晶体直拉法压电性能 1．引言 料．它不仅具有钽酸锂晶体(LT)接近的高机电耦合系数(t：=0．35～O．50％)，同时还具 优于钽酸锂晶体和石英晶体。在SAW领域，La3GaSSi014晶体是制作高频、大带宽、高稳 定、低插损、小体积SAW滤波器器件的理想材料，同时，也是制作高稳定、中等带宽、低 插损SAW中长延迟线的理想材料。在BAW领域，由于LGS晶体比石英晶体的机电耦合系 统高2～3倍，Q值更大，频响特性及温度特性更好，等效感抗及阻抗更大，谐振间隔更大。 因此，采用LGS晶体可以做成高稳定、大带宽、低插损、小体积滤波器，在VCXO及TCXO 的应用上具有很大潜力。 1986年前苏联的BronnikovaE．G．等人报道了用LGS晶体材料制作出高稳定的BAW单 片滤波器和谐振器后，首先引起前苏联、法国、美国、日本等国军方的重视，研制的BAW I．B．等人报道了 器件首先在高性能军事电子装备中得到了应用。1995年，俄罗斯的Yakovkin LOS晶体材料具有优良的SAW性能后，形成了LGS晶体材料研究与产业化发展的高潮。目 前俄罗斯的Fonon研究所、日本的三菱公司和NEC公司已先后生长出3时LGS晶体，并且 正在进行商品化的量产工作。 我所1998年开始对提拉法生长La3Ga．SSi014晶体进行研究，目前已取得了令人满意的 结果。 2．晶体生长 2．1多晶料的合成 本试验采用热台成法直接合成多晶料，选用纯度均为99．99％的Ga203、La203、Si02粉末 为原料，按化学计量比Ga203：La归，：SiO：5：3：2精确称量后混合均匀。为尽量减少Gaz03 的挥发导致组份偏离。在烧结过程中当温度升到1150C～1200C时保温5小时，使其进行充 分的固相反应，然后升温至熔点熔融，冷却后成灰黑色多晶料。 2．2籽晶的制备 在没有籽晶的情况下，有两种方法获得籽晶，一种方 法是用品格与LGS相似且熔点比LGS高的已有晶体作籽 晶引出LGS晶体，另一种方法是用铂丝作籽晶引出晶体。 本试验首先采用第一种方法，未能成功；随后用铂丝作籽 品 晶引出了晶种，其过程如图1所示，圈中晶体画有细线的 部分是呈白色的多晶．表面粗糙，圆柱部分的中间是呈红 0m 黄色透明的晶体，其间有一些细裂纹；选取透明晶体部分 40m 切出3×3×35ram、未定向籽晶，用这种未定向籽品生长 出了巾45×40mill的完整晶体，再用这种完整晶体切出了 图1耔晶制备 3X3×45mm、Z轴方向的籽晶。 2．3晶体生长 本试验提拉法生长LGS晶体，采用中频感应加热，频率约2．5KHZ；使用铂坩埚，其尺 寸为中110×70ram，籽晶方向为z轴方向。 晶体生长热力学方程为： V=(KsGs-KLGO／psL 式中v为晶体生长速率，Ks、K。分别为固相和液相的热传导系数，Gs、GL分别为固液 界面处固相中和液相中