无弱界面水基流延SiC层状复合材料的界面的探究.pdfVIP

无弱界面水基流延SiC层状复合 材料的界面研究 黄荣。顾辉张景贤江东亮 (中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构 国家重点实验室上海200050) _●-’●__● 摘要 用透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的碳化硅(SiC)层状复合 材料的界面进行研究。发现在三叉晶界处和某些SiC晶界上存在YAlO’第二相， 大部分SiC晶界有非晶膜，且非晶膜富Al而无Y。用能谱对晶界偏析进行定量研 究，表明AI在晶界处的偏析量为5．7±2。正是由于～在晶界处的偏析导致 YAIO，第二相的形成。最后对该材料的增韧机理进行7讨论。 关键词． 碳化硅 复合材糙第二枧晶氍偏析o ’_I●。__-’。_l_- 。l●。。lll_’■Il_’■I_r4HII●‘-{{●“■“I¨_H—l_-。。1lI，。■II__‘M‘_+。_l●●。。ll●h。Ill__。_I_P“”I{_～●●●。。● l引言 碳化硅(SiC)陶瓷具有高温、高强、耐磨、耐腐蚀、商硬度等优良性能，有着非常广泛的应 用前景。但与其他陶瓷材料一样，脆性是影响其应用的最大障碍。近年来，随着仿生学的兴 J在1990 起，用模仿生物结构的方法来改善材料的性能，取得了良好的效果。w．J．Clegg【I 年Nature上发表了用层状结构办法获得SiC材料，使其韧性得到了很大的改善。江东亮 等【21用水基流延方法制得SiC层状复合材料，其强度和韧性都得到了明显的提高。 本研究以透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的无弱界面SiC层状复合材料 的界面进行研究，以期了解其晶界特征，揭示其增韧机理，为材料的制备提供参考。 2实验过程 2．I材料的制备 采用亚微米尺寸。一SiC粉，平均粒径为O．66 流延方法制得厚约30～50舯的素坯膜，然后叠置约40～50层，置于石墨模具中．在m气 。黄荣：中国科学院卜悔硅酸盐研究所岛性能陶瓷与超锻结构国家重点实验室。邮编：2080．s0；电话：02l hrC4163．conl 电子信箱：tern 1382 N高性能陶瓷制备新工艺新技术 氛下经1850。C，35MPa热压烧结，获得层状复合材料。 2．2电镜样品制备 mm的圆片。先 将制得的层状复合材料用金刚石圆锯切成约0．3mm的薄片，磨成≠3 用砂纸粗磨至约80“m抛光，用Dimpler做凹坑，最后用氩离子减薄制成透射电镜样品。 2．3样品观察和分析 用日本电子的JEOL2010型透射电子显微镜对样品进行形貌和高分辨观察。牛津仪器 公司生产的lsis型能谱议对第二相、晶界和晶粒内部进行微区成分分析，束斑大小为25 。。，并对晶界的元素偏析进行定量计算[3]。 3实验结果 3．1第二相 如图1所示，该SiC复合材料基本上为等轴晶，晶粒较粗大。在三叉晶界和晶粒之间有 较多的第二相，且第二相在样品中分布不均。XRD分析表明第二相为YAl03，与能谱分析 结果相一致。 图1 SiC层状复合材料’IEM照片 图2层状复合材料晶界高分辨像 0 3．2晶界偏析 0 O 高分辨观察发现在Sic晶界上存在非晶 O 膜，厚度约为2rim，如图2所示。能谱分析晶界 O 0 膜富Al。用能谱沿垂直于晶界的方向逐点进行 一丑m睡舅1v 0 扫描，将所得数据进行处理后，以A1／Si原子比 0