透明导电薄膜材料地研究.pdfVIP

38 蔡 匈：透明导电薄膜材料的研究 透明导电薄膜材料的研究+ ——一——————————————————————————————————————————————————————————————————一 蔡殉，王振国 (上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室，上海200030) 摘要： 简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋 要就近年来研究比较活跃的TCO材料及金属基复合 势，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物 多层透明导电膜的发展态势及前景加以评述。一 (TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态，材 2氧化物透明导电薄膜(TCO) 料设计原理及其应用进行了重点介绍，并就透明导电 薄膜材料日前存在的问题及发展方向进行了分析讨 1 论。 室沉积氧化后的透明导电现象，也有文献E2]报道cd 关键词：透明导电性：氧化物透明导电膜；功函数； 氧化物的透明导电性是在1951年首次报道的。5年 相空间；复合多层膜 后相继有其它宽带氧化物半导体的透明导电性能报 告，并将其用于heated 透明导电薄膜不但要求好的导电性．还要有优良 用于减少钠灯热量损失。从20世纪60年代开始． 的可见光透光性。从物理学的角度，物质的透光性和 ITO作为主要的透明导电材料而广泛应用。 导电性是一对基本矛盾。为了使材料具有通常所述的 2。l二元及三元TCO材料的发展 导电性．就必须使其费米球的中心偏离动量空间原点， 也就是说，按照能带理论在费米球及附近的能级分布 Tt电 很密集，被电子占据的能级和空能级之间不存在能隙， 这样当彳『入射光进入时．很容易产生内光电效应，光由 阻率的优异电学性能，但由于其有毒，因此从环保角度 j1激发电子失掉能量而衰减。所以，从透光性的角度 其应用受到限制。这类透明导电膜都是通过半导体掺 不希望产生内光电效应．就要求禁带宽度必须大于光 杂贡献载流子来降低其电阻率。 r能量。宽带透明导电氧化物半导体．要保持良好的 ITO薄膜具有透光性好、电阻率低、易刻蚀和易低 r，r见光透光性，其等离子频率就要小于可见光频率，要 n／sq， 温制备等优点。典型的ITO膜的方阻约为10 保持一定的导电胜就需要一定的载流子浓度，而等离 4n·cm数量级上，可见光的 或者其电阻率在1×10 子频率与载流子浓度成比例。透明导电膜的开发就是 透射率80％。但这样的方阻难以适应未来大屏幕平 蓬于如何使二昔更好的有机统一起来。自从在透明导 面显示器的要求，虽然增加膜厚可以降低其方阻，但会 电氧化物(’ICO)中第一次发现透光性与导电性可以共 导致对一定波段光吸收。困ITO的带宽只有2．6eV， 存后．新型7ICO的开发及复合多层膜的设计都是围绕 在蓝绿光波段，带问吸收起主导作用。美崮A，II、 着这样一对矛盾