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LED LED基础知识概要 LED的定义 Light Emitting Diode，半导体发光器件包括半导体发光二极管，简称LED。 是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接将电转化为光。 LED的组成：心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。 而半导体晶片由三部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位；另一部分是N型半导体，在这边主要是电子。 LED的基本结构 LED发光原理 发光二极管的核心是PN结，具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。 此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg 有关，即 λ≈1240/Eg（mm） LED的常见种类 贴片LED 3014，3020，3528，5050，5630等等，尺寸不一，前两位数字表示芯片的长，后两位数字表示芯片的宽，以此区分。 草帽、子弹头 还有集成大功率的LED、食人鱼之类的LED LED的电学参数 正向工作电压Vf@If 反向漏电流Ir@Vr 功率P=Vf*If VF---正向压降 当LED通以20mA的电流时，LED两端的电压差 正向电压VF 是指额定正向电流下器件二端的电压降，这个既与材料的禁带宽度有关，同时也标识了P-N结的电阻与欧姆接触电阻的高低。VF的大小一定程度上反映了电极制作的优劣。 IR---反向漏电流 因LED具有单向导通特性，所以加以反向电压时，只有极小的漏电流（IR）通过。IR越大，LED的性能越差。 一般测试条件为VR=5v 反向漏电流IR是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值，这个值的大小十分敏感于器件的质量。通常在5伏的反向电压下，反向漏电流应不大于是10微安，IR过大表明结特性较差。 LED的光学参数 LED的三基色：红、绿、蓝 白色是红绿蓝三色按亮度比例混合而成。 当色温小于3200K时，为暖白，3200K-5000K为正白，大于5000K以上为冷白。 IV 亮度(Luminous Intensity) 亮度测试均以测试正面（轴线）之亮度值； 测试条件一般为IF=20mA； 亮度单位一般为mcd，1cd=1000mcd； Cd也叫“坎德拉”，或 称“烛光”，mcd叫“毫坎”或“毫烛光”。 λp峰值波长（Peak Wavelength) 峰值波长，用来表示LED的色彩； 不同颜色的光其实就是不同波长的光波；人眼可以看到的波长范围是380-760nm。 一般测试条件为IF=20mA。 可见光波长范围 LED的发光范围 λd主波长（Dominant Wavelength） 主波长，用来表示LED模拟人眼接收之色彩，一般分色泽均以此参数进行。一般测试条件为IF=20mA。 波长与颜色的关系 发光强度 光源在给定方向的单位立体角中发射的光通量定义为光源在该方向的（发）光强（度）。 单位是：坎德拉，即cd 发光强度表示在指定方向上光源发光的强弱，它可以用点光源在单位立体角中发出的光通量的数值来量度。 光通量 发光强度为1的光源在立体角元内发出的光。 单位是:流明，通常用Φ 来表示。 Lm=1000mlm，1光瓦=683lm 光通量是每单位时间到达、离开或通过曲面的光能数量。 通俗点讲，光通量就是LED发出光的总和。 显色指数 光源对物体的显色能力称显色性，是通过与同色温的参考或基准光源（白炽灯或画光）下物体外观颜色的比较。 光所发射的光谱内容决定光源的光色，相同光色的光源会有相异的光谱组成，光谱组成较广的光源较有可能提供较佳的显色品质。 波长、半值角、视角 波长：光的色彩强弱变化，是可以通过数据来描述，这种数据叫波长。我们能见到的光的波长，范围在380至780nm之间。单位：纳米（nm）波长符号：λ 半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。 色温 光源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光色相同时，黑体的温度称为该光源的色温。?单位：开尔文（k） 在色品图上，通过发光体的色品坐标点向黑体轨迹作垂线，得到垂足点所对应的黑体温度即为发光体的相关色温。可见，测得了发光体的色品坐标即可计算出其相应的相关色温。 色温: 2500-6000K,最好2500-3500K 光效 光源所发出的总光通量与该光源所消耗的电功率的比值，称为该光源的光效。 发光效率越高，表明照明器材将电能转化为光能的能力越强，即在提