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本文将从晶体硅太阳电池生产工艺流程(图一)中所涉及到的影响太阳能电池光电转换效率的清洗制绒设备、扩散设备、刻蚀设备、去磷硅玻璃设备(去PSG)、镀减反射膜(PECVD)设备、印刷电极设备、烘干烧结设备、测试分选设备等典型企业进行阐述。
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图一 晶体硅太阳电池生产工艺流程
清洗制绒就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过强酸和强碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,形成漫反射,减少直射到硅片表面的太阳能的损失。相关设备有德国RENA这些设备中最好的是RENA,因为他不光卖设备,还卖制绒工艺的专利。所使用的介质有HF,HCL,HNO3,NaOH,Na2SiO3和乙醇等。动力源有自来水,纯水,压缩空气,氮气,工艺冷却水,废水,热排风和酸排风。48所、七星华创
多晶硅:德国RENAGebr. Schmid
扩散的目的在于形成PN结。硅片含硼,是P型结物质,需要往里面掺杂磷,使电子发生移动,形成PN结空穴。所使用的介质有POCL3,N2,O2。动力源有压缩空气,氮气,工艺冷却水,热排风和有机排风。使用的设备是高温扩散炉,厂商有SVCS,TEMPRESS,长沙48所等。该道工艺有洁净要求,需要在洁净室内运行。因为扩散炉内的石英管需要清洗,所以需要增加一种石英管清洗机。TEMPRESS、德国CT、48所、捷佳创、七星、赛瑞达、大族
刻蚀的目的在于把硅片的边缘PN结断开,防止短路。目前国内所使用的设备几乎都是长沙48所的。动力源有CF4,N2,NH3,热排风,有机排风。48所,捷佳创、武汉三工、中科院微电子研究所、北京七星华创;
激光刻蚀—德国Rofin ;
湿法刻蚀—RENA、kuttler
去磷硅玻璃(去PSG)的目的在于洗去扩散时形成的磷硅玻璃,即SiO2和 P2O5的混合物,所以扩散后清洗机又叫做去磷硅玻璃清洗机。动力源有氮气,压缩空气,纯水.HF,热排风,酸排风,废水等。48所、七星华创
多晶硅:德国RENAGebr. Schmid
PECVD的目的在于镀氮化硅薄膜,增加折射率,同时掺杂H元素,使缺陷减少,还可以保护硅片。所用设备有德国的ROTHRA平板式PECVD设备,还有CENTROTHERMO的管式PECVD设备。动力源有SiH4,NH3,氮气,压缩空气,工艺冷却水,热排风,硅烷排风等。Centrotherm,七星华创,48所, 捷佳创;
平板炉:Schmid,北方微电子,周星,Shimadzu(岛津),Tempress
丝网印刷的目的在于印刷导电电极。先印背面,再印正面。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI印刷线。动力源有真空,压缩空气,热排风,有机排风等。意大利BACCINIASYS GmbH、英国DEK Solar、瑞士HCT、德国JRT Photovoltaics、德国Manz Automation、荷兰OTB Solar、45所
烧结的目的是把电极烧结在PN结上。高温烧结可以使电极穿透氮化硅膜,形成合金。所用设备有美国DESPACH等。动力源有压缩空气,工艺冷却水,热排风,有机排风等。美国DESPACHBTU、Centrotherm
分类检测的目的在于把电池片按照效率进行分类。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI检测仪。动力源有真空,压缩空气。意大利BACCINIBerger Lichttechnik、德国ASYS GmbH
最后一道工艺就是热塑包装。
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