氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响.pdfVIP

氧氩体积百分比对IT0薄膜性能的影响 氧氩体积百分比对ITO薄膜性能的影响 吴勐。蒋洪川。陈寅之，赵文雅。蒋书文。刘兴钊，张万里 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) [摘要] rr0薄膜的微观结构和电学性能的影响。结果表明：随着氧氩体积百分比的增大，nD薄膜xRD谱中的(222)面峰强由弱到强变 化，当氧氩体积百分比达到3％，4％时，ITO薄膜的(400)面峰强超越了(222)面；随着氧氩体积百分比的增大，薄膜的电阻率显著 增大，而沉积速率、栽流子浓度和迁移率都降低。 [关键词】射频磁控溅射；lTO薄膜；电阻率；载流子浓度；迁移率 避 A [中图分类号]TB34[文献标识码]A [文章编号]1001一1560(2013)增刊2一0043—03 a 眯 0前言 表面形貌，采用霍尔分析仪测量薄膜载流子浓度和迁移率，采 蘸 兰 用台阶仪测量薄膜厚度，采用sDY．4型四探针测试仪测试薄 锡掺杂氧化铟[玎D，In：03：Sn0：=90：lO(质量比)]具 心 有复杂的立方铁锰矿结构，是n型简并半导体材料，禁带宽度 膜的方阻并计算薄膜的电阻率。 达3．50～4．06 eV…，电阻率低∽J。由于具有高电导、高可见 2结果与讨论 光透光率等特性，rI0薄膜被广泛应用于光电器件如LcD(液 图1为氧氩体积百分比分别为l％，2％，3％，4％和纯氩 晶显示器)和太阳能电池中的透明电极口j。作为一种宽禁带 条件下制备的IT0薄膜的xRD谱。 氧化物半导体材料，I，r0具有较高的温差热电势和工作温度， 相对于金属Pt，其seebeck系数在53—224“V／℃内可调H。。 o—A10 f4Ⅻ 因此，IT0薄膜也可作为一种薄膜热电偶材料。与其他贵金属 (211) 尘一P 。-h‘≯静J0．。％P 高温热电偶材料相比，IT0薄膜具有从室温到l400℃无相 ．』·。．I 一．I．．．L。．3％▲ 变瞪J、抗氧化、价钱便宜等优点，在高温(高于looO℃)测量领 I L 1．一2誓L 域具有极大的潜力，尤其是在航空发动机涡轮叶片表面温度测 ．一。1 ．．1． ．1． ．．1％▲ 越叮保妒 量领域。随着航空发动机的发展，涡轮叶片表面温度越来越高 ．．I ．．1。．。|0％I ¨ (达l 200℃)，而传统的贵金属薄膜热电偶材料(PtRll)在高 10 20 30 40 50 60 7