使用砷化铟镓PIN开关二极管的Ka波段5位MMIC移相器.docVIP

使用砷化铟镓PIN开关二极管的Ka波段5位MMIC移相器摘要 使用InGaAs?PIN开关二极管Ka波段的5 B的MMIC相移器设计性能。为了在Ka频段低插入损耗和良好的相移特性，开关电抗类型InGaAs?PIN二极管相移器的拓扑结构具有结构紧凑偏置网络。已经证明的InGaAs?PIN MMIC phase性能好等特点，如低插入损失小于7.8分贝和高21.0?dBm。移相器是相控阵天线中的关键组件控制信号的相位改变辐射束的方向[1]。数字移相器通常许多相控阵应用首选，因为们控制电压噪声和温度变化。基于GaAs FET技术传统的数字MMIC移相器军事或高端商业的低功耗应用[2]，[3]。近日，CMOS或SiGe BiCMOS工艺已开发了低成本/低功耗相控阵系统[4] [5]。另一方面，运输相关的材料属性InP 基PIN，高截止频率终端设备，也算是在微波/毫米波频段非常有前途的低损耗MMIC应用6] [7]。在此外，厚的无掺杂的内在层PIN二极管比基于FET的技术其他更好的功率处理特性[8]。我们以前证一个使用砷化铟镓PIN二极管Q带交换传输线式移相器 [6]。Q -波段MMIC移相器在广泛的带宽相位精度相移输电线路的固有频率特点 在这项工作中，我们研究了一个使用InGaAs PIN开关二极管的波段为5 B MMIC 移相器。为了实现宽带和低损耗相移，基于修改后的切换电抗网络设计的拓扑结构已应用于电路元件的最佳条件分析。此外，每个位的PIN二极管的开/关控制只有一个偏置电压MMIC移相器移相操作。笔者认为，这是第一个工作在Ka波段频率的砷化铟镓PIN MMIC相移位器的例子。MMIC设计的细节和测量性能在以下的部分进行了描述。 二。移相器的设计和器件技术数字移相器电路相应的五差分相位位移180 / 11.25 / 22.5 / 45 / 90，一个线性排列级联良好的阻抗匹配，如图所示?。?“电路提供11.25。为了实现相移操作，电路拓扑基于通过反向连接集成偏置网络配置的PIN二极管。通过改变控制偏差极性PIN二极管关闭状态相关的相移状态。传统的基于FET的相移器通常是控制每个位两个偏置电压，偏置电压减少了一半[2]。因此， InGaAs PIN二极管移相器的电压只有5个。砷化铟镓PIN二极管单片移相器电路拓扑基本上是一个。?180相位电路在每个网络中使用两个InGaAs PIN开关二极管采用高通和低通开关型相移网络?考虑所需的低插入损耗和宽带相位特性通过换该系列容性感性元素和电容二极管获得下差相移11.25了一个用InGaAs PIN二极管桥接T型移相电路配置90度，45和22.5相位移。为了实现在高频段移相器，90，45和22.5位基于全通网络设计，这是类似桥接型基于FET相移器的使用[2]。拓扑简化型场效应管相移器，修改型相移器使用移相器砷化镓PIN开关二极管T型相移器。此外，桥接T型移相器的设计减少控制偏置每比特仅使用一个偏置电压。为了分析桥T型相移器电路，一个简单的InGaAs PIN二极管等效电路模型。此外，RF扼流电感（）和隔直流电容（）图的偏置被假定为开和短路。当一个正电压用于参考的运行状态，打开关闭的。信号通过，而开关与电感共鸣。因此，电路可以简化为一个并联谐振电路。负偏压可激活相移状态。关闭，成T型高通滤波器，如图?3（）。对于的插入宽带相移特性围绕中心频率，二极管关断电容电感组件的值方程28 GHz的50 。InGaAs PIN MMIC移相器是基于BCB的多层次的MMIC技术。InGaAs PIN二极管的Ka波段5 B的MMIC相移器。详细的层结构和制造序列[9]。为了低损耗在Ka波段MMIC开关元件砷化铟镓PIN二极管。所取得的电阻和关断状态电容超过500赫兹高截止频率。对于MMIC移相器准确相移特性，测得的电容值使用在设计中。砷化铟镓测得的电容值几乎不变反向偏置电压范围小于3％的在0.7 V的反向偏压关断状态电容值电路的。关断状态电容值为0.107。的薄膜微带线结构参数，是的微型MMIC技术的一个关键要素，通过使用3 - D EM模拟器（Ansoft HFSS的）全波详细模拟测定。为比我们以前的工作[9]，1 um厚的金属线输电线路较厚2金属层是用于这项工作。这些导致薄膜微带从0.7毫米至0.5分贝/毫米的线。直流阻断MIM电容电容和和偏置螺旋电感电感值0.7 pF和0.6 nH。此外，网络电容和电感值在0.03-0.25 pF和0.14-0.64 NH三。装配相移器测量结果5 B Ka波段MMIC相移器的RF性能特点是Agilent 8510C网络分析仪。的InGaAs PINdiode开关操作偏置电压控制状态直流电流10毫安，总直流电源35兆瓦。图5显示了插入损耗和输入/输出回波损耗。