SiGe+HBT+GP模型中传输电流探究.pdfVIP

SiGeHBT GP模型中传输电流研究 吕懿 张鹤呜 戴显英 胡辉勇 舒斌 姜涛 (西安电子科技大学微电子所，西安，710071) 摘要：在分析SiGe HBT工作机理的基础上，建立了物理意义明确的SiGeHBT等效电路模型，模型中的传输电流IcT HBT 的计算不能用漂移扩散理论，本文运用热电子发射理论对SiGc GP模型中传输电流进行了研究． 引言 在SiGeHBT器件物理的基础上，建立了物理意义明确的SiGeHBT等效电路模型。在异质结中， 由于能带在界面上断续，势垒上将出现一个尖峰，此时通过异质结界面的电流除了漂移扩散流，还有 热电子发射电流、隧穿电流等，并且它们占主要部分，不能忽略。同时，在异质结界面的准费米能 级也出现了断续，亦不连续【lJ，所以等效电路模型中的传输电流IcT的计算不能用漂移扩散理论，本 文运用热电子发射理论对SiGeHBT