栅和体电流模型.pptVIP

实际体电流模型 上述模型中，Em表达式过于简化。由于Ib与Em呈指数关系，Em的误差会带来Ib很大的误差。 对于电路模拟，通常加入工艺拟合参数来进行修正 Em： l： 其中 ，Vth0为Vbs=0时的阈值电压 * 体电流模型（10） PMOS的体电流 PMOS的体电流是由于沟道热空穴碰撞产生的电子电流。 由于空穴的碰撞电离率比电子小2-3个数量级，所以相同工艺和偏置下PMOS的Ib比NMOS小。 * 体电流模型（11） 提纲 1 2 3 * 栅电流来源 栅电流Ig主要由沟道热电子（CHE）注入到栅氧化层中形成。 电子越过Si-SiO2势垒需要动能约3.2eV，而空穴需要约4.9eV。 * 栅电流产生机制（1） * 栅电流产生机制（2） 沟道热电子到达栅极条件 热电子必须能够从沟道电场中获得足够的动能（大于Si-SiO2的势垒高度）； 该热电子必须经历一次弹性碰撞，是它的动量变为垂直于势垒方向的动量； 该热电子到达界面之前不能有任何非弹性碰撞。 热电子运动 过程 A→B：电子从沟道电场中获得能量变“热”，概率P1； 在B点由于弹性碰撞使热电子方向改变； B→C：电子到达Si-SiO2界面时不应受到任何非弹性碰撞，保留足够能量穿越栅氧势垒，概率P2； C →D：电子进入二氧化硅势垒，在氧化层镜像势阱中不能受到碰撞，概率P3； 在D点被外加电场扫到栅极。 * 栅电流产生过程 IG S G D n+ n+ p- Si A B C D * 栅电流模型（1） 栅电流概率计算 栅电流为： （1） P1为电子获得足够动能和垂直动量的概率； P2为热电子到达Si-SiO2界面时未受到任何非弹性碰撞的概率； P3为电子在氧化层镜像势阱中未受到任何碰撞的概率； λr为改变方向散射的平均自由程； dy/ λr为dy距离内热电子改变运动方向的概率。 * 栅电流模型（2） P1的计算 热电子越过Si-SiO2势垒Φb，动能须大于q Φb ，电子须在沟道中经过d= Φb /E的加速（设E为常数）； 沟道电子经过d或更长的距离而没有受到任何碰撞的概率为e-d/ λ，λ为热电子散射的平均自由程； 则电子获得大于势垒Φb的动能的概率为e- Φb /Eλ； * 栅电流模型（3） P1的计算 为使沟道电场加速的电子向氧化层运动，须通过弹性碰撞改变动量的方向。发生弹性碰撞概率为λ/d ，碰撞后方向指向氧化层的概率为1/4。 则电子获得足够动能和垂直动量的概率P1为： （2） * 栅电流模型（4） P2和P3的计算 Tam等人给出了P2和P3的表达式： S. Tam, P. K. Ko, C. Hu. Lucky-electron model of channel hot electron injection in MOSFETs. IEEE Trans. Electron Devices, 1984, 31, 1116-1125 P2：热电子到达Si-SiO2界面时未受到任何非弹性碰撞的概率 （3） P3：电子在氧化层镜像势阱中未受到任何碰撞的概率 （4） * 栅电流模型（5） Pox计算 P2和P3仅是栅氧化层电场Eox的函数，所以可以综合为： （5） 可见Eox增大，P（Eox）也增大。 P3：电子在氧化层镜像势阱中未受到任何碰撞的概率 * Ig计算 Tam等人求得： （6） 栅电流模型（6） * 栅电流分析 栅电流的峰值位于Vgs≈Vds处。 当固定Vgs、Vgs≤Vds时，Vds↑ ，则Em↑，相应Ig ↑ ； 当固定Vgs、VgsVds时，线性区，Vds↑，则Id↑，Ig↑； 当固定Vds、Vgs≤Vds时，Vgs ↑ ，Id ↑ ，最终Ig↑； 当固定Vds、VgsVds时， Vgs ↑ ，Em ↓，最终Ig ↓。 0 14 10-9 Vds（V） Ig（uA） 10-14 0 5 10-