硅锗基多层异质结构薄膜.pptVIP

目录 1. 研究背景 2. 研究内容 3. 实验与结果 4. 研究计划 5. 应用前景 1. 研究背景 太阳能电池 硅系太阳电池 染料敏化电池 化合物太阳电池 添加文本内容 缺点是转化率低，电解液会引起一系列问题，诸如稳定性，运行温度受限等，商业化应用还有很大局限。 属直接带隙材料，对阳光的吸收系数大。但是化合物半导体有毒性，容易造成污染，因此产量少，常用在一些特殊场合。 硅系太阳电池资源丰富、无毒，全世界太阳电池总产量的94%以上都是硅系材料。 晶体Si电池转换效率最高 ，性能最稳定。但晶体Si价格昂贵、制作成本高。为了降低成本、节省材料，晶体硅太阳能电池都在朝薄膜化发展。 硅系太阳电池材料的研发趋势是发展薄膜太阳能电池 晶体Si 因此，研究硅锗基多层异质结构薄膜具有重大意义。 用于制造量子级联激光器、测辐射热等的热敏元件、 肖特基二极管、光电集成接收机芯片、MOSFT、 CMOS器件等 Si1-xGex异质结构材料 高载流子 迁移率 较好的高频特性 较优的光电性能, 低噪声 高量子效率, 较低的能耗 2. 研究内容 研究气氛热退火处理和快速升温热处理对溅射态薄膜组织结构的影响 ； 分析ZnO层对Si1-xGex薄膜的生长和微结构的影响及作用机制； 了解对薄膜的光吸收和发光性能进行表征，并探讨不同热处理工艺对光学性能的影响； 1．Si1-xGex薄膜的磁控溅射制备、结晶化处理及光学性能研究 依据能带理论设计并制备出不同晶态、不同厚度和周期数的(Si/Ge)n 多层异质薄膜结构，分析溅射态和退火态Si/Ge界面结构和应变驰豫特征，同时表征薄膜的光学性能，并探讨Si/Ge异质结构的光吸收与发光的机理。 2．(Si/Ge)n多层异质结构薄膜的设计制备与结构性能 研究 在石英衬底上应用射频磁控反应溅射制备 (Si/Ge)n/Ge薄膜，探讨工艺参数对薄膜相结构、表面形貌、厚度和界面结构的影响，并对其光吸收及光透过性能进行表征，确定光学带隙。 3． (Si/Ge)n / Ge薄膜的射频磁控反应溅射制备与性能研究 选定合适的Si/Ge薄膜结构，结合Si1-xGex薄膜的磁控溅射沉积特性和薄膜热处理过程中的结晶特点，实现 (Si/Ge)n/Si1-xGex/SiO2多层异质结构薄膜，并对其光吸收和发光性能进行表征。 4.(Si/Ge)n/Si1-xGex/SiO2多层结构的实现与光学性能研究 3. 探讨Si1-xGex薄膜的磁控溅射工艺与性能 样品系列1 Ts=400℃，Pin=100W，t=60min 溅射气压(Pa) 0.5 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 薄膜厚度(nm) 1101.9 1526.7 766.4 495.8 771.8 552.2 最大粗糙度(nm) 32.6 25.2 18.4 28.6 33.7 38.9 沉积速率(nm/min) 18.4 25.4 12.8 8.3 12.9 9.2 样品系列2 Ts =400℃，Pg=1.0 Pa，t=60min 溅射功率(W) 50 100 150 200 250 薄膜厚度(nm) 678.6 1526.7 1861.6 2144.4 2992.1 最大粗糙度(nm) 36.1 25.2 35.6 52.8 59.7 沉积速率(nm/min) 11.3 25.4 31.0 35.7 49.9 样品系列3 Pg=1.0 Pa，Pin=100W，t=60min 衬底温度(℃) 常温 150 300 400 500 600 薄膜厚度(nm) 1108.2 1130.8 1225.7 1526.