AlGaN%2fGaN+MSM紫外探测器结构中肖特基结特性.pdfVIP

2004摹8．一，沮 ，寥叶r苫}l全■化舌q●¨体4I*、—嚏t●件和光电●忡■b木—r饿 —E，F九眉●?■■体■l墓学术●慢 AIGaN／GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性 周劲由，郝一龙町，武国英“，杨志坚姊，张国义” ‘qE京大学擞电子所，4q￡京大学物理系100871 Tel：010 Emall：．j。,．．h．．o．．u．．1．．i．n．．2．．@．．．．1．m．．．．e．．．o．．．k．．u．．．．e．．d．．．u．．．一cn 和Ni／Au金属膜，在氨气气氛中高温快速退火，分别与样品形成欧姆接触和肖特藁接触，讨论测量获得肖特基的I—v 和C—V特性曲线。随着退火时间的延长，MSM(金属一半导俸金属)结构的I—v特性曲线保持良好的对称性，但C—V 曲线逐渐失去其对称性。 关键词：A1GaN／GaN MSM肖特基结髓《； Absrtact：A1GaN／GaNhetero—structurewere onthe substrateMOCVDmethod．Ti／AI／TffAuand samplesgrown sapphire by Ni／Aumetalfilmwele Oilthe wefe annealedintheN2 forthedifferent sputtETP．d samplesrespectively．Theythgtmally gas time and becAtmeOhmcontactand Both1-VcurvesandC-Vcurveswere temperatures，and Schott时contact respectively discussedintermofthemeasurementI-Vcurveshad results．The C—VCtlTves losttheir verygoodsymmetry,butslowly withthe time symmetryannealingincreasing． contact Keyword：越GaN／GaN，MSM。Schottky 一、引言 太阳辐射的紫外线被大气吸收的谱区，称为“日盲”区(大气层吸收200nm一300nm紫外光)。 由于紫外线的“日盲”特性和在大气层中因均匀散射而呈现的背景条件，研制紫外探测器在军事高 科技和民品市场领域运用的紫外光通信和成像方面具有很高的价值。由于GaN系半导体有很宽直接 带隙(3，4eV一6．2eV)、光电转换量子效率高，低表面复合率，以及在苛刻的物理和化学环境中的高稳 定性。基于AIGaN的紫外探测器的性能大大超过了传统的紫外光电探测器，如：光阴极和固态探测 器，以及si和SiC探测器。GaN基紫外探测器能够有效的探测、跟踪释放出大量紫外线的飞行目标， 也可以在监控喷气发动机与汽车发动机、森林火灾预警等领域发挥作用。[1,2,3A1 9 7 1年首先提出概念，并 MSM(金属-半导体．金属)结构器件最早由美国的s．M．Sze等人于1 s 9 8 研制出硅上的M M结构器件。l 5年德国的W．Ro山等人率先将其应用到光探测器，研制出 GaAs 艺简单，而且从材料生长到器件工艺过程可以与FET工艺兼容，容易实现单片的光电接收放大器； 2、速度快Rc时间常数也小，其速度主要取决于光生载流子在电极之间的渡越时间，所以响应速度 高；3、在工艺上更容易实现探测器阵列。 本文研究MS