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Vol . 21 高 等 学 校 化 学 学 报 No. 11 年 月 2 O O O 11 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UN IVERSITIES 1719~ 1722 含噻吩环 二唑衍生物的合成及电化学性能研究 张志明 李国文 马於光 吴 芳 田文晶 沈家骢 吉林大学超分子结构与谱学开放实验室 长春 ( ~ 13OO23) 摘要 合成了新的化合物 双 双 取代苯基 二唑 噻吩 2 ~ 5- [2 ~ 2 - ( 5- ) -1 ~ 3 ~ 4- ] (R OXD ) (R = H ~ CH3O ~ 用 1 和元素分析对其进行了表征 同时 采用循环伏安法对其电化学性能进行了测 CH3 ~ F ~ CN ) ~ H NMR . ~ 试 结果表明 除了 外 这一系列化合物的电子亲和势高于常用电子传输材料 说明它们的电 . ~ F OXD ~ PBD ~ 子传输材料性能优良. 关键词 噻吩 二唑衍生物 电子亲和势 ; ; 中图分类号 O646 文献标识码 A 文章编号 O251-O79O (2OOO ) 11-1719-O4 在有机电致发光器件中电子传输材料占有特殊重要的地位 而现有的材料 如 联苯基 ~ ~ 2- ( 4- ) -5- 叔丁苯基 二唑 是常见的电子注入 传输材料 它能明显改善电子和空穴的注入平衡 ( ) -1 ~ 3 ~ 4- (PBD) / ~ ~ 提高器件的性能[1 ~ 2] 这主要因为分子中具有高的电子亲和势的 二唑环 其有利于电子的注入 然而 ~ ~