氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化地研究.pdfVIP

湖南·长沙 氖离子注入诱导InGaAs／InP量子阱 材料带隙变化的研究’ l 王永晨，赵杰．范懿．武丽 (天津师范大学物理系，天津300074) 摘要：研究了氟离子注入诱导InGaAs／In．P量子阱材料带隙变化的规律。研究结果表明，由氖 高子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝秽的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，汪入离子荆量。 能量，及退火条件有关。研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值。 美键词：量子阱；离子注入；带隙蓝移 引 言 Ⅲ一V族半导体量子阱异质结结构已广泛地应用于发光二极管和光纤通讯系统，由于量 子阱宽度和成分决定了量子阱禁带能量，因此，可以控制带隙，从而也可控制发射光的波长。 在高纯净的环境下，用与晶体相匹配的外延生长法，如分子束外延(MEB)或金属有机物化学 气相淀积(MOCVD)，可以生长相对高质量的无缺陷量子阱材料。 现代光电子系统包括：InGaAs／InP量子阱激光器、调制器和探铡器等。这些器件若使用 光电互连的非集成芯片，会导致技术上的限制和费用上的增加，而单片上的光电一体化集成可 以降低或消除某种芯片技术的复杂性，并可达到一定技术要求，因此在集成光学中受到广泛重 视。 Ⅲ一v族半导体的外延生长法可以生长纵向同类层。因此需要有一种方法可改变纵向固 定区域上量子阱结构的光学性能，这根象在硅集成电路中使用离子注入来改变侧面电学性能 一样。一种材料的光的吸收波长和发射波长在很大程度上由带隙决定，而带隙又随着成分和 应力而变。对于量子阱结构，带隙还与阱的宽度和形状有关。“dig等人在1981年实践了在 有效纵向区域内改变这些参数的方法。从那时起，A1GaAs／GaAs系统中的量子阱异质结结构 的杂质诱导扩散研究已十分普遍，同时也在制造器件的过程中得到了广泛应用。与A1GaAs 仅是在OEIC测试器件上使用IIM设计的结构时有一个简单的介绍。本文研究着重亍把IIM 看作随相关参数的变化而变化和研究所进行的物理的过程。从而在使用IIM的集成器件结 ·该硬目为国家自然基金赍助项耳． ——252—— 第十届空国电子束离子束光子束学术年会 在研究中改变了以下各个参数；热退火时阔，热退火温度，离子剂量，注入能量，注人样品温度， 阱宽和注入区的深度。 这篇论文的目的是研究IIM过程随以上参数丽变化IIM过程。从而造成～种可控制的 有用的带隙蓝移，同时又不影响器件的光学性能。本项研究的另一个目的是为来来IIM过程 的参数的模拟提供数据。这有助于了解IIM过程且能为达到真实器件的模拟创造条件。 2实验 2．1材料生长 的位置。 阱，具体参数如表l所示。 表1用于研究舶两种量子阱结构样品 f；； 2．2退火条件 高复合性，要把样品与温差电耦等距放置。约在36012时，从IzlP表面上的三价磷升华开始 了。丽对于IIM需要的温度还要高150～400℃。 蠡们的研究表明InP的Proximity 度使用。InP村底提供了更好的保护。快速热退火(RTA)条件见表2。 湖南-长沙 表2退火条件 2．3光萤光测量 在进行光萤光测量时，采用了波长为488nm的氢离子激光器光进行激励，由于半导体蔡 带宽度较窄，可用488nm的光把电子激发到导带上。当电子从导带跃迁，回到价带上时，会发 射光子。 当量子阱材料经过离子注入后，PL强度的尖蜂会发生偏移向波长较短方向的值移为蓝 移。这是由量子阱结构处的带隙发生变化引起的，从而得出量子阱材料带骧变化的规律。 3结果讨论 3．1蓝移与注入剂量荚系 样品的蓝移与注入剂量之间的关系。圉中所示的是四阱和单阱两种样品的情况。 加而增加，在剂量为1×