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2017-08-16 发布于安徽
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Cr金属薄膜温度传感器地研究.pdf

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第25卷第4期增刊仪器仪表学报 2004年8月 Cr金属薄膜温度传感器的研究+ 闰卫平1 朱剑波1 马灵芝1 郭吉洪2 1(大连理工大学电子系大连摘要采用等离子体溅射方法制备了cr金属薄膜式温度传感器。探讨了光刻腐蚀工艺、Cr薄膜厚度及薄膜热处理温度对Cr 薄膜电阻温度系数的影响。通过选择合适的制备工艺，得到了较理想的cr金属薄膜温度传感器。关键词温度传感器Cr金属薄膜电阻温度系数 of TheResearchCrMetalMembrane Sensor Temperature Yan Zhu Ma Guo Weipin91Jianb01LingzhilJihon92 ofElectronic 116024，China) 1(Department of Engineering，DalianUniversityTechnology，Dalian 2(ResearchCenterforMicro of SystemTechnology，DalianUniversity Technology，Dalian Abstract sensorofCrmetalmembranemaderadio Temperature chemical by frequencyplasma vapordeposition isdiscussed．Themainfactors coefficientofresistanceare suchasthicknessof affectingtemperature investigated andthe ofthermaltreatment．TheidealCrmembraneresistanceisfab— temperature film，photoetching re!atively ricated to results． accordingexperimental sensorCr words metalmembrane coefficientofresistance(TCR) Key Temperature Tempe南ture 杂质、缺陷和晶界所引起的电阻率之外，薄膜电阻率还 1 引言与薄膜表面对电子的散射有关。金属薄膜的电阻率大于块材的电阻率，电阻温度系数(TCR)小于块材的电微全分析系统(肛一TAS)将实现化学分析系统从阻温度系数。因此，为了增大薄膜电阻的TCR，除了减试样处理到检测的整体微型化、自动化、集成化口1。聚少薄膜中的缺陷、晶界和杂质密度外，增加薄膜厚度也合酶链式反应(PCR)芯片是肛一TAS中的重要组成部可以减少电子散射