MEMS结构NO2传感器地研究.pdfVIP

MEMS结构N02传感器的研究· 刘鑫1邱成军1左霞2孔珊珊1任华1 1．黑龙江大学 集成电路重点实验室 哈尔滨 150080； 2．黑龙江大学 功能材料实验室 哈尔滨 150080 摘要：采用MEMS技术研制了一种以硅材料为基底，具有MEMS结构的N02传感器，敏感材料选 用金属酞菁化合物一酞菁锌．阐述了该传惑器的工作原理、结构设计和工艺流程．给出了酞菁锌薄膜的 制备方法．通过分析测试了该传感器的特性，并讨论了酞菁锌的敏感机理． 关键词：MEMS技术酞菁锌薄膜气体传感器二氧化氮 1．引言 近年来，检测各种气体成分和浓度的气体传感器受到人们重视，先后研制出检测可燃性气体、污染环境 气体、内燃机汽车尾气等的气体传感器【11。二氧化氮是大气中对环境和人类健康危害严重的污染物，及时准 确地获知N02气体浓度对环境检测和保护意义重大。采用在微电子技术基础上发展起来的MEMS技术制作 传感器具有体积小、质量轻、功耗低、性能稳定、响应时间短等特点[21，因此采用MEMS技术研制一种以 硅材料为基底，酞菁锌为敏感膜的微结构N02气体传感器。 2．MEMS结构NO：传感器的制作 2．1传感器的制备 传统的平面结构旁热式、直热式气体传感器体积大、功耗高，存在着控温不够精确，热利用率差的缺点[31。 采用MEMS技术制作气体传感器可以将加热电极、温度检测电极和测试电极集成在一块尺寸很小的硅片上， 减小了功耗，控制温度更精确。酞菁锌N02气体传感器主要由五部分组成：硅衬底、酞菁锌敏感膜、加热电 极、温度检测电极和测试电极。N02分子吸附在敏 感膜上后很难自动脱附，而敏感膜下方的硼加热器 可以使N02分子有足够的能量脱附，以保证传感器 ] 有良好的重复性。 选用(100)晶向双面抛光n型硅衬底，如图l(a) 所示。首先双面热氧化生长500nm的Si02隔离层， 双面淀积170nm的Si3N4隔离层，如图ICo)所示。 为了避免腐蚀硅杯时破坏正面图形，先在背面刻蚀 一早 腐蚀窗口，用KOH溶液进行各向异性腐蚀，形成硅 (o 杯结构，再去掉Si3N4层，如图1(c)所示。然后在正 面刻蚀窗口，进行硼扩散，如图l(d)所示。二次生 一闶 长Si02掩蔽层，刻蚀窗口，扩磷，形成温度检测pn 结，如图Ke)所示。淀积Si02隔离层，刻蚀加热、 (g) Si 温度检测电极窗口。溅射Pt，反刻Pt，形成加热电 I--I 团Si02圆SigN4囫p-Si 极、温度检测电极和叉指状测试电极，如图1(0所 踊n-Si-Pt 皿ZnPc 示。然后在测试电极上制备酞菁锌敏感膜，如图l(g) 所示。 图l N02气体传感器工艺流程图 ·基金项目：教育部科学技术研究项I昏(204047) 463 2．2酞菁锌薄膜的制备 剂中搅拌、加热、回流6小时，冷却后过滤，将产物依次用正戊醇、3％盐酸、水和乙醇洗涤，用氯仿萃取 lff3Pa，温度为450条件下，采用真空升华法纯化后得酞菁锌 后得深蓝色粉末，将此粗产物在真空度为2．5x 用作蒸发源一J。 采用加热真空蒸发镀膜机将酞菁锌蒸镀在基片上。沉积前，对所用的基片进行表面清洁处理。将酞菁锌 粉末放置真空系统中的石英坩埚内，坩埚的底部配置了电阻丝加热器以调节加热温度。调节电阻丝电流对酞 15-20rain可制得约1／am厚的酞菁锌升华膜。 3．酞菁锌NO：传感器的气敏特性测试 3．1气敏特性 将传感器置于密闭的N2环境下，逐渐加入一定量的N02气体，得到酞菁锌薄膜电阻与N02气体分压关 系曲线和