SOI横向功率器件耐压结构地研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第五分册：光电与光谱技术 SOI 横向功率器件耐压结构的研究 12 2 1 1 张保华 刘文清 陈军宁 吴秀龙 （1．安徽大学电子科学与技术学院 安徽合肥 230039 2．中科院安徽光机所 安徽合肥 230031) 摘要：SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中，而击穿电压是功率器件一个重要的参数。 本文对 SOI 横向功率器件的击穿电压进行了分析，介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压 的结构，较为详细的分析了RESURF 原理的应用。 关键词：击穿电压；SOI；横向功率器件 0 引言 由于采用SOI材料做成的器件能实现全介质隔离，其寄生电容和泄漏电流小，驱动电流大，所以 [1] 适合制造功率集成电路及器件 。横向功率MOS器件的优点在于其所有电极均位于芯片表面, 易于通 过内部连接实现与低压信号电路及其它器件的相互集成, 并且驱动电路简单, 使之成为功率集成电 路中普遍采用的基本单元。横向高压器件主要有横向双扩散场效应晶体管(LDMOS)和横向绝缘栅双极 晶体管(LIGBT)。 LDMOS晶体管由于它的击穿电压高，驱动电流大等特性，被广泛的应用于体硅功率集成电路中。 [1,2] 而SOI LDMOS较之体硅LDMOS有更多的优点 ，例如具有较高的跨导和输出电导，导通电阻小，功率 增益系数高，可以工作在各种恶劣的环境中。 轻掺杂n-漂移区的存在, 使得LDMOS晶体管具有较高耐压的同时, 也带来了较大的导通电阻。 LIGBT与LDMOS 晶体管在结构上的唯一不同之处在于将其漏极n+改为p + , 这一小小的改变却使器件 特性发生了质的改变。当器件正向导通时, 大量空穴从p+区注入到n-区, 利用电导调制效应使得器 件的导通电阻大大降低, 从而解决了LDMOS晶体管所具有的器件耐压与导通电阻之间的矛盾。然而值 得注意的是, LIGBT在正向导通期间n-漂移区大量少子的注入, 在降低器件导通电阻的同时, 也造 成了器件在关断过程中明显的电荷存贮效应, 从而导致了关断时间的延长，在SOI衬底上制造的 LIGBT就可以解决这个问题。击穿电压是功率器件的一个重要参数，提高输出功率要求提高击穿电压， 它还决定了器件的运用范畴，例如功率开关管就对高耐压有特殊要求，因此必须要采取措施来提高 器件的击穿电压。下面将对目前国内外一些主要提高SOI横向功率器件击穿电压的方法进行介绍和分 析。 1 提高SOI LDMOS 击穿电压的措施 为了使 SOI 功率器件具有较高的击穿电压，人们研究了多种耐压结构，例如场板结构，降低表 面电场(RESURF)结构等，现在应用最广而且最成熟的是RESURF 结构。还有一些结构对于提高击穿电 压很有帮助，但目前工艺上实现起来比较困难。 1.1 RESURF 原理的应用 RESURF 原理已经成功的用于普通的 LDMOS 晶体管，富力文等人证明了RESURF 可以应用于 SOI 330 第五届全国光子学大会会议论文集 第五分册：光电与光谱技术 [3] LDMOS 晶体管中提高击穿电压 ，与场板同时使用效果会更好。 [3] 1) 常规RESURF 结构 如图 1 所示，设漂移区掺杂浓度是均匀的，当漏源电压Vds 为正时，硅膜层中会形成两个耗尽 层，一个是p 阱与n 漂移区的pn 结，另一个是在埋氧化层上面称底部耗尽层。当外加电压足够高时， 底部耗尽层将形成反型层，反型层中的空穴浓度将随外加电压增加而增大。 此结构场氧化层厚度为 2µm ，漂移区厚度为 12µm ，埋氧化层厚度为 2µm ，漂移区长度为 15 −3 70µm ，杂质浓度为10 cm 。当漏源电压Vds 较小时，两个耗尽层是相互隔离开的，随着Vds 的 增加，两个耗尽层都在扩展，当Vds=88v 时，两个耗尽层会连在一起，此时底部反型层