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2∞4年8月，涟
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GaN。．，P，三元合金的红外谱研究
陈敦军‘，沈波，许福军，陶亚奇，赵红，张荣，郑有蚪
摘要
制制约着载流子浓度的变化。一个是来自等电子陷阱的影响，它将减少三元合金中载流子的浓度；另一个来自缺陷
的影响，它将增加三元合金中载流子的浓度。文中对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算，其结果显示，随着合
金中P组份比的增加．纵向光学声子—等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动，同时LPP模式线宽逐渐增竟，说
明随着合金中P组份比的增加，LPP模式的耦合作用增加，阻尼增强。
关键词：GaN。P。三元台金，红外反射，纵向光学声子—等离澈乖，晶格振动
八
中图分类号：TN304
资助课题。
+e—mail：生也巫翌旦n强点旦坠』旦
Infrared of
Studles
GaNl-xPx
Ternary
Alloy
and
Y．D．Zheng
ElectronicMaterialsScbn∞and
Provincial ofPhotonicand Technology．and
Jiangsu Laboratory
Key
National ofSolidState 210093，China
Laboratory Micrnatructures．NanjingUnivers|ty，Nanjing
Abstrect
Infrared rr比舾Ⅲ薯m蛐tSof and thedielectricfunction
fittingsusing composed
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