WO-%2c3-薄膜退火热处理工艺地研究.pdfVIP

3178 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 WO 薄膜退火热处理工艺的研究* 3 ∗ 1 2 2 陈 曦 ，谢光忠 ，蒋亚东 （1. 电子科技大学 微电子与固体电子学院，四川 成都 6 10054 ； 2. 电子科技大学 光电信息学院，四川 成都 610054 ） 摘 要：采用真空镀膜工艺在微晶玻璃衬底上沉积了 究在空气中300~600 ℃时，对WO3薄膜进行退火热处 WO 薄膜，WO 薄膜从300~600 ℃分别进行了退火热 理时薄膜结构的变化。对WO 薄膜样品分别进行退火 3 3 3 处理,随着退火热处理温度的不同，WO3 薄膜从晶粒尺 热处理，并用扫描电子显微镜（SEM ）和X射线衍射 寸上以及晶相上都发生了较大的变化，并用SEM 、XRD （XRD ）对其结构及薄膜特性进行了分析表征。 等手段进行了分析，随着退火热处理温度的升高，WO3 2 实 验 晶粒逐渐增大，并实现了从非晶向晶态的转变，最终 得到了六方结构并且是在[100]方向上择优取向的WO3 2.1 WO 薄膜的制备 3 薄膜，获得了稳定性较好的工艺条件，为进一步开发 蒸发原料为99.9%浅黄色无水WO3粉末，采用高 研制WO3 气敏元件提供了技术基础。 真空蒸发系统，在高真空下（约3 ×10-3 Pa ）进行热 关键词：WO3 ；SEM ；XRD ；薄膜；退火 蒸镀，基片采用微晶玻璃，基底温度为 25 ℃，蒸发 中图分类号：O484 ；TP2 12 文献标识码：A 电流大约为 150A左右，蒸发过程完全在此环境下完 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 成，将原料WO3粉末装入钼舟中，沉淀过程中基片与 舟始终保持垂直，以保证膜均匀沉积。 1 引 言 2.2 WO3薄膜的退火热处理 WO 是一种过渡族金属氧化物半导体材料，1967 真空蒸发的未经退火热处理的WO3 膜中含有物 3 年，出现了以WO3 为基体的材料，并对它的电致变色 理吸附水和物理结晶水，这种膜结构疏松、多孔、易 性质进行过一定程度的探讨，近年来，由于发现它对 溶于水，性能非常不稳定。为了得到性能稳定的高 灵敏的WO 膜，必须对蒸发的WO 膜进行适当的退火 某些还原性气体（如O 、NO 、NO 、NH 、H S ）有 3 3 3 2 3 2 较好的敏感特性而受到了广泛的关注[1~3] ，并且由于 热处理，排除薄膜中的吸附水和结晶水。另一方面， WO3对湿度也存在一定的敏感特性，最近一段时间也 在退火热处理温度升高的同时，WO3薄膜的晶粒又慢 有了用WO [4] 慢增大，但又必须保留其多孔的纳米微晶结构，这 3薄膜制作多功能传感器的报道