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低噪声高灵敏度CMOSAPS图像传感器的研究 377 文章编号：1000—8829(2004)SO一0377．03 低噪声高灵敏度CMOSAPS图像传感器的研究 Researchon ofaCMOSAPS LowNoiseand Sensor High Sensitivity Image (贵州工业大学，贵州贵阳550003)杨 超 J。 摘要：介绍了用标准的1．5岬P阱COMS数字电路工艺加工的域中形成了和CCD图像传感器相竞争的局面【l 512像素CMOS APS图像传感器线阵。采取了3种技术，改进 了芯片性能：①为提高灵敏度采用了带防反射膜的混合的P+／N 源像素传感器(CMOSAPS)线阵。在光敏元结构上采用了带P 和P阱／N光电二级管结构；②为减小光电二级管的暗电流采用 阱隔离环和P+／N，P阱／N结组成光敏元的新结构；片上读出电 了P阱隔离环结构；③为抑制固定图形噪声和低频噪声应用了 路采用了结构简单的相关双采样(cos)电路；这些措施的采取， 相关双采样电路。这些技术的采用，使研制的图像传感器灵敏 以期减小暗噪声、提高灵敏度和增加动态范围。实验结果表明， 度达到11V／／x·S，均方根噪声为0．2mV，动态范围为80dB。 APS有所提高，暗噪声为0．2 其性能较通用的CMOS mV(r．m．s)， 关键词：CMOS图像传感器；有源像素传感器；相关双采样； 灵敏度11V／lx·S，动态范围大于80dB。 暗电流；灵敏度 l CMOS APS工作原理 中图分类号：TP732 文献标识码：A APS单元由图1中的光电二级管(用等效的光生电流五， Abstract：A CMOSAPS sensorline with 512一pixel image array 1．1 APS电荷积分及电压采样 standard1．5岫P-wellCMOS isreported．Three logicprocess 图1A区中，Q是光电二级管的PN结电容，其值与结面 have and to been the techniques improve appliedproved chip 积成正比，与PN结耗尽区的宽度w成反正，而耗尽区宽度与 mixed withthe P佩and，P-wel／／N performance，①the photodiodes 衬底掺杂浓度及外加反向偏压有关。P型、N型杂质浓度相差 antireflectivefilmto a P—well to increase sensitivity,@)theisolating越大，耗尽区越宽，Q越小。反向偏压越大，w增加cL减小。 decreaseadarkcurrentofthe correlateddouble photodiode，Gthe 屯是光生电流，它是由一定能量的光子入射到半导体中激