89 年度期末考題.docVIP

半導體製程安全期末考試題 學號：___________________（2.5 分） 姓名：__________________（2.5 分） 複選題視為數個是非題，如五種選擇配分 5 分的複選題視為 5 個是非題，選錯一項扣 1 分 單選答案可能為 0 1. （複選，5 分）矽晶體中若參雜下列哪些元素會形成負型（n-type）半導體？( 鎵（Ga） ( 砷（As） ( 鍺（Ge） ( 磷（P） ( 鉛（Pb） 2. （單選，2 分）所謂正型（p-type）半導體係指 ( 接近或位於導帶的電子洞較電子多 ( 半導體中淨電荷為正 ( 半導體中淨電荷為負 ( 為本徵半導體 ( 接近或位於導帶的電子較電子洞多 3. （複選，7 分）在以下哪些製程中可對晶體材料進行摻雜（doping）？( 微影成像（photolithography） ( 磊晶（epitaxy） ( 氧化（oxidation） ( 蝕刻（etching）( 擴散（diffusion）( 長晶 ( 植離子（ion implantation）。 4. （單選，1 分）根據 SEMI 的建議，半導體製程設備之設計噪音不得大於( 85 dBA ( 90 dBA ( 80 dBA ( 95 dBA ( 75 dBA 5. （單選，1 分）根據我國勞工安全衛生法規的建議，作業廠所噪音連續八小時不得大於( 85 dBA ( 90 dBA ( 80 dBA ( 95 dBA ( 75 dBA 6. （單選，1 分）依危險物及有害物通識規則物質安全資料表至少應多久更新一次？( 五年 ( 半年 ( 三年 ( 一年 ( 二年 7. （單選，1 分）在晶圓製造過程中，SiH4 經還原成何種物質？( 非晶矽（amorphous silicon） ( 冶金級矽（metallurgical-grade silicon） ( 合金矽 ( 單晶矽 ( 複晶矽（polysilicon） 8. （單選，1 分）晶圓稱為 ( ingot ( wafer ( die ( silica ( chip 9. （複選，6 分）以下何者是常用的晶棒蝕刻物質？( HCl ( HNO3 ( HF ( CrO3 ( CH3COOH ( H2SO4 10. （複選，5 分）有關導體的導帶（conduction band）與價帶（valence band），以下何者為是？( 導帶與價帶有重疊區域 ( 導帶最低能量低於價帶最高能量 ( 價帶最高能量高於導帶最高能量 ( 價帶最低能量高於導帶最低能量 ( 導帶與價帶距離較絕緣體大 11. （複選，8 分）對氟化氫的敘述何者為是？( 外觀與水類似 ( 沸點在 20(C 以下 ( 可腐蝕鉛 ( 可侵蝕二氧化矽 ( 可使用防滲手套防護 ( 又名氫氟酸 ( 會與金屬反應產生氫氣 ( 無水氟化氫可儲存於鋼質容器中。 12. （複選，6 分）有關 SiH2Cl2 ( 學名 Dichlorosilane ( 閉杯閃火點低於 -40(C ( 爆炸下限高於 10% ( 對皮膚不會造成刺激 ( 無氣味 ( 中文名稱為二氯二氫矽烷。 13. （複選，5 分）有關 SiCl4 ( 學名 monosilane (中文名稱四氯化矽( 也可稱為 silicon chloride (起火時適合以二氧化碳滅火( 會對皮膚造成灼傷。 14. （複選，5 分）有關 SiH4 ( 可稱為四氫化矽 ( 爆炸下限接近 5% ( 可稱為 silicon tetrachloride ( 可使用海龍滅火 ( 吸入體內會在體內產生矽酸。 15. （複選，4 分）以下何者不溶於水：( SiH4 ( SiCl2H2 ( SiHCl3 ( SiCl4。 16. （複選，4 分）以下何者在常溫常壓下是液體：( SiH4 ( SiCl2H2 ( SiHCl3 ( SiCl4。 17. （單選，1 分）以下何者被稱為 silane：( SiH4 ( SiCl2H2 ( SiHCl3 ( SiCl4。 18. （單選，1 分）The following chemicals which one is not listed by WSC as Global Warming Gas PFC (CF4 ( CHF3 ( NF3 ( SF6 ( C4F8 19. （單選，1 分）溫室效應氣體在那一波長區對輻射熱有較大的吸收( UV ( IR ( 微波 (χ射線 ( Visible 20. （單選，1 分）下列何者不是世界半導體產業協會在安全衛生環保上未來幾年內的主要重點( 全氟化物排放減量 ( 環境保護及形象維護 ( 節水節能 ( 化學品安全管理 ( 廢溶劑處理 21. （單選，1 分）The baseline y