直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与电学性质研究.pdfVIP

真空科学与技术学报 第25卷增刊 SCIENCE JOURNALOFVACUUM AND-IECHNOLOGY(CHINA)2005年12月 直流磁控溅射制备ZnO薄膜的结构 及电学性质研究 李 丽 方 亮。 廖克俊刘高斌杨丰帆付光宗 (重庆大学应用物理系重庆400044) StructuralandElectrical ofZnOThinFilm Properties DC by MagnetronSputtering andFu Ⅱ“，Fanghang。，Lmo Fengfan Guangzong Kejun，huGaobln，Yang Unaerstty，Chongqmg，400044，Chma) (风印删of却衅捌Phystcs，Chongqmg AbstractZnO wah electron1111- dc charat2terlzed films，grownby magnetronsputtenngon垂髑，were X-raydtffmctton(XRD)，scanmng was alsoTheresultsshowthatfilm alonMcforce thermo-electromotlveforcem朗双lIed growth咖一 ctoscⅪpy(SEM)andrmcrcecopy(AFM)Its thatall thecarnerconcentralaon8／id／olthefilm uons affectitsnncrostnlcturesandits found lI砌幽of strongly elecmcal严q，erh曙．We in decreaseofthe mechamsmwas dtscussed tluc蛔resultsa thenno-power．AndIx舢ble tentatively ZnOth,n concentration Keywords films，Magnetronsputtering，Thennopower，Carder 摘要本文采用直流反应磁控溅射方法在平面玻璃上制备了ZnO薄膜。所得的ZnO薄膜利用x光衍射，扫描电子显微 镜和原子力显微镜进行分析和表征。实验结果表明，ZnO薄膜的结构和电学性质与合成条件密切相关。并测试了ZnO薄膜的 温差电动势，得出薄膜中的载流子浓度越大，温差电动势率越小；ZnO薄膜厚度越大，温差电动势率越小。本文对其结果进行 了理论分析。 关键词ZnO薄膜磁控溅射温差电动势率载流子浓度 中图分类号：TN304．2 文献标识码：A 文章编号：1672-7126(2005)增4)86-04 ZnO是一种新型的Ⅱ．Ⅳ族宽禁带氧化物半导 取代传统的透明导电薄膜rid而作为太阳能电池的 体材料，具有六方纤锌矿结构，其晶格常数为a= 透明导电极，光电传感器和平板显示器的窗口材料。 0．325 nln，