湿法刻蚀LiNbO3脊形波导地研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 湿法刻蚀LiNbO 脊形波导的研究∗ 3 1 盛志瑞 李锡华 江晓清 杨建义 王明华 (浙江大学信息与电子工程学系,杭州 310027) 摘要: 本文采用质子交换湿法刻蚀的方法在 X 切 LiNbO3 基片上制作了脊波导。并且对在不同的质子 交换时间下（温度均为230℃）所得到的脊波导做了比较,获得了与预想一致的结果，为以后进一步 开展本项工作提供了有用的参考。 关键词：湿法刻蚀；脊波导；质子交换；LiNbO3 基片 0 引言 铌酸锂晶体是最优良的集成光学材料之一，利用非常成熟的钛扩散以及质子交换工艺技术，已 经研制成功调制器，开关及开关阵列，光耦合器与各种光信息处理系统或传感器集成光学器件，并 获得大量应用。高速的铌酸锂调制器是高速光通信系统中的重要器件。为了提高其调制带宽，采用 脊形波导结构设计是一种有效的方法。 [1] [2] LiNbO 基脊形波导的制作，通常可采用干法刻蚀，如等离子刻蚀 ，喷溅刻蚀 ，反应离子刻蚀 3 [3] [4] 等。早在1974年，Kaminow 研究了脊形波导相位调制器，其中脊形波导采用离子束刻蚀形成。1975 年，Ohmachi[2]研究了基于TiO —扩散平板波导的脊形结构Mach—Zehnder波导调制器，他采用射阴极 2 真空喷镀的方法来形成脊形结构。然而，该调制器的Y分支区和脊波导的侧壁太粗糙，不能成为低损 耗器件。1979年,Kawabe[5]建议采用离子轰击技术来刻蚀LiNbO 基片，并先用氩离子轰击基片，再用 3 氢氟酸刻蚀掉被轰击过的区域。这样重复做6次，可获得高度为0.42μm的脊形波导。由于基片和掩 膜区的刻蚀速度几乎一样，所以需要很厚的掩膜板以及很长的时间才能得到1μm高的脊形波导。1981 年，Jackel[3] 采用反应离子刻蚀方法提高了刻蚀速度，但得到的脊形波导侧壁仍然粗糙。这几年来， 由于高速光调制器研究的迫切需要，干法刻蚀技术也得到很大的提高，并在40G的铌酸锂光调制器制 [9] 作中得到应用 。 与此相比，湿法刻蚀工艺相对简便，设备投资少。而且，如果控制的好，波导表面比较光滑， 传输损耗较低。对 LiNbO 3 材料直接湿法刻蚀，实验结果表明不但刻蚀速度非常慢而且刻蚀后得到的 表面不光滑，因此，很少采用对LiNbO 3 基片直接湿法刻蚀。 Laurell建议对于LiNbO [6] 3 基片采用质子交换后湿法刻蚀质子交换区的方法 。他们的研究工作证 1 明，先对基片进行质子交换，则基片中的质子交换区能够被氢氟酸和硝酸的混合溶液刻蚀掉，利用 [7][8] 该技术，可以制得低损耗波导 。 1 实验 Ǻ 本项研究工作采用X 切Y 传LiNbO 材料，在LiNbO 基片上蒸一层铬膜，厚度约为 1500 ，光刻 3 3 波导