适用于GMR传感器的高性能自旋阀的研究.pdfVIP

适用于GMR传感嚣的高性能自旋阈研究 适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究 刘华瑞1任天令1曲炳郡1刘理天1库万军2李伟2杨芝茵2 2涤堋华夏磁电子公司。中国潦现518004 e-mail：fiuhuarui97@mails．tsinghua．edu．cn [摘要]在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为 交换场的方法。经过结构的改善和工艺条件的优化后，使自旋阀的磁电阻率达到9．12％，矫 力减小33％，而磁电阻率几乎不受影响。利用CoFe／Cu／CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的 左右。这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器。 [关键词]自旋阀巨磁电阻磁电阻率矫顽力 引 言 自从1988年Fe／Cr超晶格中的巨磁电阻效应(Giantmagnetoresistanceeffect，简称 GMR)被发现以来“1，这个领域就吸引了人们广泛的兴趣和注意。典型的6MR结构包括多层膜 valve)。而随着自旋阀结构的发展，这种具有低饱和场的巨 (mutilayer)和自旋阀(spin 磁电阻薄膜马上被广泛应用于各种高灵敏度磁传感器和高密度存储技术中”1。而这些高灵敏 度磁传感器大部分用于工业自动化和汽车工业中，包括角度传感器，位置传感器和无接触式 转速传感器等。+“。由于这些GMR传感器具有鲁棒性高，非接触式测量和能工作于恶劣环境 的优点，它们在汽车工业和工业自动化中所处的地位越来越高。研究高性能的自旋阀巨磁电 阻薄膜已成为当今世界GMR研究的一个热点。 用IrMn做反铁磁材料的自旋阀具有磁电阻率(magnetoresistanceratio，简称MR)高， 反铁磁材料的失效温度高，临界厚度小(3nm)等优点，是近几年来自旋阀中反铁磁材料研究 的一个热点”1。顶钉扎结构的自旋阀不需要退火，具有简单的结构和工艺，及很高的实用 价值。为了实现利用标准的集成电路工艺在硅圆片上批量生产出GMR磁传感器的目的，必须 研制出具有高磁电阻率，低矫顽力，高交换场的GMR薄膜。本文通过对自旋阀的结构调整和 对工艺条件的优化，研制出符合以上条件的自旋阀薄膜，为GMR传感器的产业化打下了良好 的基础。 1．实验方法 通过直流磁控溅射方法在玻璃基底和4英寸硅圆片上淀积IrMn顶钉扎自旋阀薄膜，膜 的结构为：Ta／NiFe／CoFe／Cu／CoFe／IrMn／Ta。溅射系统为美国Kurt J．Lesker公司的CMS-A 六靶磁控溅射系统。溅射的本底真空为1．3x10印a，溅射时的工作气体为高纯氩气，工作 气压为0．192Pa。溅射在室温中进行，基底通过高压氮气进行冷却，并在基底平面内加上 均为质量比。自旋阀薄膜的整个研制过程没有采用退火工艺，保证了工艺的简单性，降低了 研制和生产过程的不可靠因素，有利于产业化的发展。 746 第八届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 反铁磁(synthetic ion 离子刻蚀(reactiveetching，简称RIE)来降低自旋阀自由层的矫顽力和清洗薄膜表面， 工作气体为纯氧，时间从1分钟到30分钟。利用标准的四探针法来测量自旋阀的磁电阻率， 并且利用振动样品磁强计(VSM)来测量自旋阀的磁化特性。所有测量均在室温下进行。 2．实验结果与分析 图l(a)为室温下自旋阀薄层电阻(Rs)与磁场的关系曲线，(b)为磁化强度与磁场的关系 T 1