氧氮化硅的合成的研究.pdfVIP

氧氮化硅的合成研究 聂建华1，邱文冬2，李维锋1，宋飞2，乔婉1，尹国恒1，梁永和I，尹玉成1 f】．武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地，湖北武汉430081) f2．上海宝钢工业技术服务有限公司，上海201902) LL(1．5：1：2：1； h条件下，不同Si／Si02 摘要：以金属si粉和Si02微粉为反应原料，在真空感应炉中高纯氮气1600℃保温2 比为3：l时可以合成高纯的微米级的片状和板状Si2N20，此时产物中Si2N20原子比非常接近于理论原子比。 关键词：Si2N20；显微结构：热力学分析 中图法分类号：TQl75 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2013)S1·879-03 保温24h烘干后置于真空感应炉中抽真空至0．002 氧氮化硅(Si2N20)是Si02