含钪扩散阴极钪钨基体地研究.pdfVIP

含钪扩散阴极钪钨基体的研究 王金淑1 陶斯武1王,／F曼1潘克新2刘伟1周美玲1 1北京工业大学材料科学与工程学院，教育部功能材料重点实验室，北京平乐园100号，北京100022 2北京真空电子技术研究所，北京100016 摘要用液一固掺杂法制备了氧化钪和氧化钪与铼掺杂钨粉，获得氧化钪部分包敷的钨颗粒和氧化钪与钨均匀混台 的亚微米掺杂钨粉。利用这种钨粉研制成含钪扩散阴极的多孔基体。基体中氧化钪的分布均匀性较机械混合显著改善。基 体中氧化钪在高温和离子轰击下保持稳定。预期用这种钨基体研制古钪扩散阴极将有利于发射均匀性和抗轰击性能的提 高。 关键词 含钪扩散阴极多孔钨基体发射均匀性 一、引言 在钡钨扩散型阴极系列中，含钪扩散阴极因具有最低的逸出功、最高的热电子发射水平的特点而成为现 代真空电子器件的发展的一个重要方向。尽管对含钪扩散阴极进行了大量的研究，发展了多种变体，但仍存 在如下缺点：发射不均匀、耐离子轰击性能不理想、寿命不够长、工艺重复性不好等，这就使得阴极的实用化 受到很大的限制。因此，开拓新的思路，发展新的工艺途径，对含钪扩散阴极的研究是十分重要的。 为了改善阴极的发射均匀性，需要氧化钪在阴极基体内和表面上尽可能地均匀、弥散分布；为了提