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第30卷增1 压电与声光 Suppl．No．1
2008年6月 PIEZOELECTECTRICSACOUSTOOPTICSJun．2008
文章编号：1004—2474(2008)S卜0193一03
Pt／A12
熊年登，蒋书文，李言荣
(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室．四川成都610054)
析了衬底表面沉积粒子的能量状态。对溅射工艺如基片温度、溅射功率、总气压等进行优化．获得了调谐率50％～
80％、损耗0．6％～1％的BST薄膜。
关键词：Mn2+掺杂BST薄膜；射频磁控溅射；调谐率I介电损耗
中图分类号：TN384 文献标识码：A
LowLoss Thin
of Bao．5Sro．5Ti03 FilmsonPlatinum
Preparation Mn2十doped
Bottom
Electrode
XIONG Shu-wen，LI
Nian-deng，JIANGYan-rong
(StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices．UniversityofElectronicScienceand
of 610054，China)
TechnologyChina．Chengdu
Abstract,2moloA FerroelectricTi03(BST)thinfilmswere OIlPt／
Mn2+additional-doped8ao．5Sro．5 prepared
RF
AI,饶substrates the of onsubstrate
by magnetronsputtering．Byanalyzingenergyparticles surface，processpa-
as
rameterssuchsubstrate powerand weredetermined．whichindicatedthatunder
temperature．sputteringpressure
the wasabout60％～80％。andthelosswas0．6％～1％．
optimizedparameterstunability
BST
thinfilms；RF loss
Keywords·Mn2+一doped magnetronsputtering；tunability；dielectric
Ba，Sr。一：TiO。(BST)薄膜的介电常数能够随低损耗的BST薄膜。
外加电场的变化而改变[1刮，可作为应用于电调微波 1 实验
器件的介质材料rs-6J。电调微波器件要求介质薄膜
材料的可调率高而介电损耗低。当x=0．5时，BST
靶材。利用KPS450型射频磁控溅射设备在Pt／
薄膜的居里温度在室温附近，且介电损耗相对较低，
因此，Bao．。Sro．5Ti03薄膜作为电调介质材料受到广
英国BeDeD1型X一射线衍射仪(XRD)进行物相分
泛研究。
BST薄膜材料的介电损
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