反应溅射氧分压对In2O3薄膜光电转换性能的影响.pdfVIP

圆圆 反应溅射氧分压对I。：o，薄膜光电转换性能的影响 反应溅射氧分压对In203薄膜光电转换性能的影响 杨 鑫1”，练晓娟h2，刘尚军1，田晶1，陈金伟1，王瑞林 (1 四川大学材料科学与工程学院，四川成都610065； 2 重庆文理学院重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室，重庆402160) [摘要】 用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In：O，薄膜。通过XRD分析薄膜结构，用紫外可见光谱分析薄膜 的光吸收能力，并推导薄膜的光学带隙。结果表明，室温反应溅射条件下，直接溅射得到的薄膜都是非晶薄膜，且吸光度随制备氧 分压的增大而减小，相同功率下。薄膜厚度随氧分压增大而减小，光吸收起始位置也随之蓝移。相同偏压下，薄膜的单色光转换效 mol／L nm)。 率(IPCE)随氧分压增大先减小后增大。在0．5Na2SO。溶液中，O．26 V 在1．0 Ag／AgCl偏压下，0．26Pa氧分压样品光电流为28txA／cm2。 [关键词]In：O，薄膜，反应溅射，IPCE，光电流，氧分压 [中图分类号]TGl74．444[文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2013)增刊1-0068-03 O前言 吸光光谱采用北京普析通用公司的Tu-1900紫外可见光分光 光度计测得，范围为360—600nm。IPCE测试采用颐光三电极 太阳能分解水制氢是利用半导体进行光能转化为化学能 测试系统，Ag／AgCl电极为参比电极，碳棒为对电极，测试溶液 的研究。其中氧化物半导体材料是研究的主要方向。In：O，是 为0．5 一种n型半导体，其禁带宽度为2．8eV左右，目前主要用于荧 150 W氙灯加AMl．5滤光片，用光强计 光源采用Newport 光屏，陶瓷等领域。氧化铟的导带能级约为一3．88eV¨。，比水 91 (Newport150V)测得光强为60mW／cm2。 溶液中H+／H：的还原能级更负，可以直接进行产氢；同时，其 价带能级比O：／H：O的氧化电位更正，可以同时进行析氢析氧 2结果与讨论 反应，是一种理想的综合产氢材料。但是目前对于In，O，的研 薄膜厚度与氧分压的关系列于表1。薄膜的厚度随氧分 究主要集中于制备透明导电薄膜(CTO)的优化改进上‘2“J，对 压的提高随之减小，说明薄膜的生长过程受到氧分压的影响， o等 于In：O，的光电转换性能进行的研究相对很少。许蕾蕾”’6 随氧分压增大，轰击靶材的Ar离子相应减少，降低了靶材的溅 通过化学方法制备了％O，微球，并发现在Ta20，微球表面分 射速率，造成薄膜沉积速度减小。 散不同含量的In：O，，形成异质结构，提高了材料的光利用