草酸盐沉淀法制备BaTiO-%2c3-陶瓷与介电性能的研究.pdfVIP

： 圭堡堕竺!苎墼苎堡婆婆墅鱼呈坚旦』墅暨望尘皇丝堡笪堕壅—————————一 草酸盐沉淀法制备BaTi03陶瓷 及介电性能的研究 李恒欣张粉艳韩陈崔斌 (西北大学化学系710069) Bi20，等多种 ■蔓；本文采用改进的革酸盐沉淀法合成了纯的BaTiq超细粉体，井对谊粉体掺杂Nb2仉t 氧化物．时预烧精体和陶瓷进行了XRD．SEM分析，以及陶瓷介电性能的测定．蛄果发现，掺杂的BaTiO， 可在1150C烧蛄获得高介电常数(4277)和低温烧蛄的多晨陶瓷电容嚣瓷料． 美■订：钍酸顿陶瓷电容嚣介电常教 随着陶瓷电子产品的广泛应用，多层陶瓷电容器(MLC)的用量越来越大，性能要求越来越高， 人们希望得到体积小、效率高、介电常数大、热稳定性好、成本低廉的电容器．要考虑这些综合因 素，就不得不从原材料的筛选、制备工艺、制备条件、成本价格诸多方面进行系统分析研究”一。由 于多层陶瓷电容器(MLC)工艺要求材料与内电极共同烧制，而材料的烧结温度决定着使用的金属 电极类型(Pd、Pd／Ag合金或Ag)，金属电极类型是影响价格的主要因素。因此降低成本的关键是 降低烧结温度，基于这一点本文选用工艺简单的改进草酸盐沉淀法制各超细纳米粉体的BaTi03，通 过添加Nb205，Bi203等多种氧化物来制备低烧高介的多层陶瓷电容器瓷料。 1．实验部分 所用原料均为分析纯试剂。采用草酸沉淀法制备超细BaTiO，粉体，掺杂一定量的氧化物(五氧 化铌、氧化钴、三氧化铋、二氧化钛、氧化铅、氧化硼、氧化锌和二氧化锰)【5惦经研磨，压片， 在1050～1150C下烧结2h制得掺杂的BaTi03陶瓷。未掺杂的粉体在1350(2保温2h烧结制得纯 试仪自动测ttCr电温谱图。预烧粉体和陶瓷的相组成由XRD分析确定，其显微组织形貌由SEM分 析评价。 2．结果与讨论 陶瓷均为四方相的钙钛矿结构。而没有其它的相存在。对掺杂BaTi03和纯BaTi03陶瓷分别进行SEM 分析发现，纯BaTi03陶瓷的晶粒尺寸较大，但大小不均匀。掺杂的BaTiO，陶瓷因添加三氧化二硼等 玻璃相覆盖在BaTi03的表面，使陶瓷晶粒变得模糊不清，从而降低其烧结温度；而其它掺杂氧化物起 改性作用．使其介电性能得到明显改善。 图1和图2分别给出掺杂和未掺杂的BaTi03的介电温谱图，其主要介电性能示于表1。 由图l、2和表l可以看出。纯钛酸钡的烧结温度为1350℃。掺杂可明显地降低钛酸钡的烧结温 度，井提高其介电性能。而且掺杂的钛酸钡可在1150C烧结成瓷，其介电性能明显优于高温1350℃制各 的纯钛酸钡陶瓷。另外。掺杂的钛酸钡陶瓷的居里温度向室温方向移动。 l— 岂4000 嚣 3000 §… u ‘Czooo 2。。。 l 嚣 iIO∞ 若…。 a ∞ 10 ∞80100120140I∞ 2。 …。 60T一茹器佃n耀 Temperature／℃ h的条件下 h的条件下制鲁 图2在不同烧结湿度和保温2 图1在t300C烧结2 的纯钛酸坝陶瓷的介电涅谨