关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染地研究.pdfVIP

中国电子科技集团公司第四十八研究所 刘成成 唐景庭 伍三忠 贾京英 郭建辉 刘求益 摘要：本文描述注氧机在制作SOI(SIMOX)材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响，结合 SIMS测试结果，从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。 SOISIMOX 关键词： 注氧机 溅射 电离 蒸发 污染 一、引言 1．杂质元素的来源分析 N来源于微波放电室的BN瓷和源气的N2杂 质含量，真空系统的残余N：；C来源于源气的C02 SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)工 杂质含量和钢材中的杂质含量；Fe来源于不锈钢管 艺技术是一种新的SOI(Silicon—On—Insulator)材料 制备技术。SIMOX材料的器件与传统体硅器件相壁，引束电极，磁极面等；A1来源于头部三通，束线’ 比，