分析测试技术_1.pptVIP

3.2 晶体生长方法_熔融法 优点： 通过精密控制温度梯度、提拉速度、旋转速度等，可以获得优质大单晶； 可以通过工艺措施降低晶体缺陷，提高晶体完整性； 通过籽晶制备不同晶体取向的单晶； 容易控制。 缺点： 由于使用坩埚，因此，容易污染； 对于蒸气压高的组分，由于挥发，不容易控制成分； 不适用于对于固态下有相变的晶体。 3.2 晶体生长方法_熔融法 b。坩埚下降法 将一个垂直放置的坩埚逐渐下降，使其通过一个温度梯度区(温度上高下低)，熔体自下而上凝固。通过坩埚和熔体之间的相对移动，形成一定的温度场，使晶体生长。温度梯度形成的结晶前沿过冷是维持晶体生长的驱动力。使用尖底坩埚可以成功得到单晶，也可以在坩埚底部放置籽晶。 3.2 晶体生长方法_熔融法 优点： 坩埚封闭，可生产挥发性物质的晶体； 成分易控制； 可生长大尺寸单晶； 常用于培养籽晶。 缺点： 不宜用于负膨胀系数的材料； 由于坩埚作用，容易形成应力和污染； 不易于观察。 3.2 晶体生长方法_熔融法 c。水平区熔法 该法与坩埚移动法大体相似，但水平区熔法的熔区被限制在一个狭小的范围内。 首先将原料烧结或者压制成棒状，固定两端，然后，移动原料棒或者加热高频线圈，使得 只有受加热的部分熔融，而绝大部分材料处于固态。随着熔区沿着原料棒由一端向另一端缓慢移动，晶体就慢慢生长，并慢慢冷却直至完成生长过程。 3.