通孔结构Si衬底AlGaN%2fGaN+HFET的热特性模拟.pdfVIP

第-t五届全国化合物半导俸，微波器件和光电器件掌术套lg 广州’08 P027 l GaN／GaN 通子L结构Sj衬底A HFET的热特性模拟 文于华，范冰丰，骆思伟，王钢，刘扬 (中山大学光电材料与技术国家重点实验室，广州510275) 摘要：使用有限元软件ANSYS，对通孔结构si衬底AIGaN／GaNHFET进行了热特性模拟。首先．根据器件结构建立了以栅 极为热源的分析模型。然后，通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距、以及通孔深度，分别研究了两栅指结构HFET的峰值温 度和热阻。最后，对m两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明，衬底材料、衬底厚度、栅问距和通孔 深度对器件的热特性均有明显的影响，选择合适的参数有利于改善器件的性能；当栅指数目增加时，器件的峰值温度增大，散 热趋向于困难。 关键词：AIGaN／GaN，HFET，ANSYS，通孔结构 中图分类号：TN386 文献标识码： 文章编号： I hi AI Modei onthethermaI ofa GaN／GaN ng ghpower performance HFET onsi I i consubstrateWi thVi a-hoI estructure grown Yuhua Wen，Yang Fan，SiweiLuo，GangWang Liu，Bingfeng (Statelaboratory Materialsand Yat-sen Key ofOptoelectronieTechnology,Sun ofa substatewith structureis Abstract：Thethermal A1GaN／GaNHFET 011silicon via—hole analyzed performancehigllpower grown withthefinite—element aretheheat built tothe softwareANSYS．Firstthe whichthe source，is analysismodel，in gates according devicestructure．Thenthe andthermalresistanceofthe HFETsare their peaktemperature double—finger investigatedbychanging substratematerial，substrate andvia-hole devicesextended thickness，gatespacing depth，respectively．Finally,themultiflnger by has structurearestudied．Itbeenfoundthatalloffactors substratematerial，substrate double