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MOS管的工作原理 解：利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小 。 当栅源电压VGS=0时，源区、衬底和漏区形成两个背靠背的PN结，不管VDS的极性如何，其中总有一个PN结是反偏的，漏电流ID为0，此时漏源之间的电阻很大，没有形成导电沟道。 当栅源之间加上正向电压，则栅极和p型硅片之间构成了以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，形成耗尽层， p型衬底中的少子（电子）被吸引到衬底表面。在p型硅表面形成的n型薄层称为反型层，构成了源极和漏极间的n型导电沟道。导电沟道形成后，原来被p型衬底隔开的两个n＋型区（源区和漏区）就通过感生沟道连在一起了。因此，在正的漏极电压作用下，将产生漏极电流ID。漏源电压作用下开始导电时的栅源电压叫做开启电压Vth。当VGS≥Vth时，外加较小的VDS，ID将随VDS上升迅速增大，此时为线性区，当VDS增大到一定数值，靠近漏端被夹断，VDS继续增加，将形成一夹断区，且夹断点向源极靠近，沟道被夹断后，VDS上升时，其增加的电压基本上加在沟道厚度为零的耗尽区上，而沟道两端的电压保持不变，所以ID趋于饱和而不再增加。另外，当VGS增加时，由于沟道电阻的减小，饱和漏极电流会相应增大。 影响MOS管阈值电压的因素 解： 器件的阈值电压主要通过改变衬底掺杂浓度、衬底表面浓度或改变氧化层中的电荷密度来调整，在沟道中注入杂质，或通过对多晶硅掺杂金属的方法来调整阈值电压。 MOS管的直流电阻与交流电阻 解： MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。 饱和区： 线性区： 深三极管区： MOS管的栅极接固定偏置 漏输出，源极交流接地 当MOS管的漏源电压大于栅极的过驱动电压时，MOS管工作于饱和区 当漏源电压小于栅极过驱动电压时，MOS管工作于三极管区 2）源输出，漏极交流接地 当MOS管工作于饱和区时，其输出电阻为1/gm；而当MOS管工作于三极管区时，其输出电阻值为： MOS二极管的电阻 解：MOS二极管是指把MOS晶体管的栅极与漏极相互短接构成二端器件 MOS二极管的直流电阻与器件的尺寸相关，并且还取决于VGS的值 交流电阻可以视为MOS管的输出特性曲线在VDS＝VGS时的斜率，对于理想的情况，即忽略沟道调制效应时，其值为无穷大。考虑沟道调制效应时，交流电阻是一有限值 1）忽略衬底偏置效应 2）考虑衬底偏置效应 MOS管的亚阈值效应及其应用 解：当VGS略小于Vth时，MOS管已开始导通，仍会产生一个弱反型层，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系 应用：可作为可变电阻使用 等比缩小理论对MOS管电参数的影响 解：按比例缩小有三种理论： 恒定电场CF理论；恒定电压CV理论；准恒压QCV理论 理想的按比例缩小理论即为恒定电场CF理论，是指器件所有的横向和纵向尺寸都缩小α倍（α＞1）；阈值电压和电源电压降低α倍；所有的掺杂浓度增加α倍。因此器件尺寸和电压一起缩小，则晶体管内部所有电场保持不变。 CF理论对MOS器件的一些主要参数性能的影响 采用CF理论缩小时，器件所有的分布电容都同样缩了α倍 按比例缩小后MOS管的漏电流下降到原来的1/α 当按CF理论进行缩小时，MOS管的跨导维持不变 在饱和区的MOS管的输出阻抗保持不变。 线性区的MOS管按比例缩小后，其线性电阻也不变 本征增益gmro维持不变 按比例缩小同样会影响动态范围、速度以及功耗等。 MOS管的特征频率的物理意义 最高工作频率：对栅输入电容的充放电电流和漏源交流电流值相等时所对应的工作频率 MOS管的最高工作频率与沟道长度的平方成反比 MOS管不同工作区的特点 解： 截止区：VGS≤Vth，ID＝0； 线性区：VDS≤VGS－Vth，漏极电流即为萨氏方程。 深三极管区：VDS2（VGS－Vth） 这时MOS管可等效为一个电阻，其阻值为 饱和区：VDS≥VGS－Vth 9、萨氏方程及跨导 饱和区： 跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率 增大KN（增大宽长比，增大Cox等），也可以通过增大ID来实现 衬底跨导：在源漏电压与栅源电压为常量时漏极电流随衬底电压的变化关系 各种单级放大器的特点 解： 共源放大器 该类放大器电路的输入阻抗大，输出阻抗大，电压增益大。 共栅放大器： 输入阻抗小，输出阻抗大，电压增益大。 源极跟随器： 输入阻抗大，输出阻抗大，电压增益接近1。 各类单级放大器的输入输出摆幅、增益及输入输出电阻（对所给电路进行分析计算） 电阻做负载的共源放大器： 1）直流分析（求摆幅） 截止区：Vi＜Vth，则Vo＝VDD； 饱和区：Vi＞Vth，且Vi－Vth≤Vo时，有： 可以得到共源放大器的直流转换特性曲线 在设计放