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ICS 77.040 H25 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX-XXXX 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 （EPD）etch pit density（EPD）low dislocation density monocrystalline germanium slices （讨论稿） （本稿完成时间：2015年5月） 201X - XX - XX发布 201X - XX - XX实施 前言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。 本标准起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤 、 。 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度 （EPD）砷化镓单晶位错密度的测量方法…………………………………………..(1) 式中： Nd——位错密度，单位为个每平方厘米（个/cm2）； n——穿过视场面积S的腐蚀坑数目，单位为个； S——视场面积，单位为平方厘米（cm2）。 设备和仪器 显微镜，测量视场应为1mm2或更大。 为精确测量EPD，应用—“标准尺寸”精确测量视场面积。 测量步骤 试样制备 本标准不包括锗单晶片的制备，如晶片切割、抛光以及蚀坑腐蚀等。锗单晶片的制备方法可以参考GB/T 5252进行。 选